一种TOPCon钙钛矿叠层电池底电池制作方法技术

本发明专利技术提供一种TOPCon钙钛矿叠层电池底电池制作方法，属于太阳能电池技术领域。底电池的制作采用了双面二次制绒以及双面二次制备多晶硅介质层钝化工艺，先在硅片层制绒面下表面进行了P‑poly层的制备，之后在硅片层下表面第二次微制绒去除了P‑poly层制备产生的绕镀，防止在硅片层下表面制备N‑poly层时残留绕镀层以及硼磷掺杂等影响，且增加了底电池的光学吸收效果；底电池的制备增加了单独的掩膜氧化层工艺步骤，能防止底电池下表面形成磷硼共掺杂，降低对底电池的性能影响；在硅片的切割面制备了氧化铝钝化层，增加对激光切割面的钝化效果，降低因激光切割对底电池切割面质量影响，进一步提升底电池切割面的钝化效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池，具体涉及一种topcon钙钛矿叠层电池底电池制作方法。

技术介绍

1、topcon(tunnel oxide passivated contact)为隧穿氧化层钝化接触。目前晶硅topcon/钙钛矿两端叠层电池在制作过程中，主要为实验室小面积叠层电池(5cm*5cm以内)，产业化生产尚未形成。晶硅topcon/钙钛矿叠层电池主要有底电池、连接层、钙钛矿顶电池组成，底电池在制作过程中通常由大面积的晶硅电池制作完成后通过激光切割机切割为小面积的底电池，通过搭配连接层及顶电池制作，生产叠层电池。在制作底电池过程中因激光切割导致底电池切割面存在切割缺陷，导致底电池效率偏低，影响叠层电池效率，且常规底电池只有单面poly硅掺杂钝化，不利于底电池整体钝化效果。

技术实现思路

1、在制作电池过程中，通过对底电池上面形成微绒面，并进行双面poly硅掺杂，为避免底电池在二次poly掺杂过程中形成硼磷共掺杂，工艺流程中增加了单独的pecvd方法生长掩膜氧化层的制备。底电池整体制作兼顾光学吸收效果、上下面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TOPCon钙钛矿叠层电池底电池制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的底电池制作方法，其特征在于，所述隧穿氧化层为氧化硅，厚度1.2-2.0nm；所述第一多晶硅介质层厚度为100-150nm。

3.根据权利要求1所述的底电池制作方法，其特征在于，所述对第一多晶硅介质层进行硼掺杂制备P-poly掺杂层，P-poly掺杂层表面的硼硅玻璃层厚度30-100nm。

4.根据权利要求1所述的底电池制作方法，其特征在于，所述氧化掩膜层为氧化硅或氮氧化硅，厚度30nm-100nm。

5.根据权利要求1所述的底电池制作方法，...

【技术特征摘要】

1.一种topcon钙钛矿叠层电池底电池制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的底电池制作方法，其特征在于，所述隧穿氧化层为氧化硅，厚度1.2-2.0nm；所述第一多晶硅介质层厚度为100-150nm。

3.根据权利要求1所述的底电池制作方法，其特征在于，所述对第一多晶硅介质层进行硼掺杂制备p-poly掺杂层，p-poly掺杂层表面的硼硅玻璃层厚度30-100nm。

4.根据权利要求1所述的底电池制作方法，其特征在于，所述氧化掩膜层为氧化硅或氮氧化硅，厚度30nm-100nm。

5.根据权利要求1所述的底电池制作方法，其特征在于，所述去绕镀包括：使用10％-30％的hf溶液刻蚀绕镀到硅片层四周、硅片层上表面p-poly掺杂层上的硼硅玻璃层以及硅片层四周的掩膜氧化层，刻蚀的腐蚀时间50-300s。

6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：代同光，倪玉凤，郭永刚，叶林峰，杨露，
申请(专利权)人：青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司，
类型：发明
国别省市：