【技术实现步骤摘要】
本申请涉及晶体生长设备，尤其是涉及一种双阻尼调节装置及晶体生长装置。
技术介绍
1、在晶体生长装置生长晶体的过程中，需要对晶体根据其生长状况进行提拉处理。相关技术中，采用拉晶机构对晶体进行提拉处理，但由于通常采用拉晶绳等柔性的拉晶机构进行提拉处理，在拉晶过程中拉晶机构会出现抖动或晃动等影响拉晶质量的情况。
技术实现思路
1、为解决上述问题，本申请提供了一种能够减小拉晶机构晃动和抖动的双阻尼调节装置。
2、为实现上述目的，本申请采用的技术方案如下：
3、本申请的一方面提供了一种双阻尼调节装置，双阻尼调节装置设置于晶体生长装置的副炉室中用于对拉晶机构进行限位，该双阻尼调节装置包括第一调心块、第二调心块、阻尼套和吊装件；第一调心块基本呈圆环柱形，第一调心块的中心形成沿轴向延伸的第一孔；第二调心块基本呈圆环柱形，第二调心块的中心形成沿轴向延伸的第二孔，第二调心块设于第一调心块的第一孔中，第二调心块与第一调心块之间为球面配合；阻尼套中形成用于供拉晶机构穿过的沿轴向延伸的第三孔...
【技术保护点】
1.一种双阻尼调节装置(100)，所述双阻尼调节装置(100)设置于晶体生长装置的副炉室(21)中用于对拉晶机构进行限位，其特征在于，所述双阻尼调节装置(100)包括：
2.根据权利要求1所述的双阻尼调节装置(100)，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的双阻尼调节装置(100)，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的双阻尼调节装置(100)，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的双阻尼调节装置(100)，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的双阻尼调节装置(100)，其特征在于：
7.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种双阻尼调节装置(100)，所述双阻尼调节装置(100)设置于晶体生长装置的副炉室(21)中用于对拉晶机构进行限位，其特征在于，所述双阻尼调节装置(100)包括：
2.根据权利要求1所述的双阻尼调节装置(100)，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的双阻尼调节装置(100)，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的双阻尼调节装置(100)，其特征在于：
5.根据权利要求4所述的双阻尼调节装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，朱亮，倪军夫，金天宝，冯贤剑，茹炜，
申请(专利权)人：浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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