正极活性物质、正极、二次电池、电子设备及车辆制造技术

本发明专利技术提供一种充放电循环中的放电容量下降得到抑制的正极活性物质及使用该正极活性物质的二次电池。一种包括正极活性物质的二次电池，该正极活性物质包含钴酸锂，通过对正极活性物质的粉末X射线衍射得到的图案进行里特沃尔德分析估算出的氧化镁和四氧化三钴的总质量为钴酸锂的质量的3％以下，正极活性物质的粉体体积电阻率在64Mpa的压力下为1.0E+8Ω·cm以上1.0E+10Ω·cm以下二次电池。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术的一个方式涉及一种物品、方法或者制造方法。此外，本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。本专利技术的一个方式涉及一种包括二次电池的蓄电装置、半导体装置、显示装置、发光装置、照明装置、电子设备或其制造方法。注意，在本说明书中，电子设备是指具有蓄电装置的所有装置，具有蓄电装置的电光装置、具有蓄电装置的信息终端装置等都是电子设备。

技术介绍

1、近年来，对锂离子二次电池、锂离子电容器、空气电池及全固态电池等各种蓄电装置的研究开发日益火热。尤其是，随着半导体产业的发展，高输出、高容量的锂离子二次电池的需求量剧增，作为能够充电的能量供应源，成为现代信息化社会的必需品。

2、尤其是，便携式电子设备用二次电池等被要求单位重量的放电容量较大且循环特性较高。为了满足这些需求，正在积极地进行二次电池的正极所包含的正极活性物质的改良(例如，专利文献1至专利文献3)。此外，已经进行了有关正极活性物质的晶体结构的研究(非专利文献1至非专利文献3)。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种包含钴酸锂的正极活性物质，

2.根据权利要求1所述的正极活性物质，其中所述钴酸锂具有空间群R-3m的层状岩盐型晶体结构。

3.根据权利要求2所述的正极活性物质，其中所述钴酸锂包含铝和镍。

4.根据权利要求3所述的正极活性物质，

5.根据权利要求4所述的正极活性物质，

6.根据权利要求5所述的正极活性物质，其中所述基区实质上不包含所述镍。

7.一种包括权利要求1至6中任一项所述的正极活性物质的正极。

8.一种包括权利要求7所述的正极的二次电池。

9.一种包括权利要求8所述的二次电池的电子...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种包含钴酸锂的正极活性物质，

2.根据权利要求1所述的正极活性物质，其中所述钴酸锂具有空间群r-3m的层状岩盐型晶体结构。

3.根据权利要求2所述的正极活性物质，其中所述钴酸锂包含铝和镍。

4.根据权利要求3所述的正极活性物质，

5.根据权利要求4所述的正极活性物质，

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【专利技术属性】
技术研发人员：川月惇史，齐藤丞，种村和幸，门马洋平，三上真弓，荻田香，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：