半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置10具有多个p型深层36、多个n型深层37、n型的漂移层38和n型高浓度层39。n型高浓度层与多个p型深层中的对应的p型深层的下表面的至少一部分相接，n型杂质的浓度比漂移层高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本说明书所公开的技术涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

1、在日本特开2003－309261号公报及日本特开2017－152488号公报中，公开了在半导体衬底的面方向上交替地反复配置有p型层和n型层的半导体装置。在该半导体装置断开(off)的情况下，多个p型层和多个n型层耗尽，源极－漏极间的电压被保持。

技术实现思路

1、在这样的具有多个p型层和多个n型层的半导体装置中，在导通电阻与耐压之间有权衡(trade off)的关系。在本说明书中，提出了改善存在于导通电阻与耐压之间的权衡的技术。

2、本说明书公开的半导体装置可以具备：半导体衬底，在上表面设有沟槽；栅极绝缘膜，将上述沟槽的内表面覆盖；以及栅极电极，配置在上述沟槽内，被上述栅极绝缘膜从上述半导体衬底绝缘。上述半导体衬底可以具有：n型的源极层，在上述沟槽的侧面与上述栅极绝缘膜相接；p型的体层，在位于上述源极层的下侧的上述沟槽的上述侧面与上述栅极绝缘膜相接；多个p型深层，分别从上述体层延伸至比上述沟槽的底面靠下侧，当从上侧观察上述半导体衬底时本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置(10)，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

8.一种半导体装置(10)的制造方法，其特征在于，

9.如权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

10.如权利要求8所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置(10)，其特征在于，

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.如权利要求1～6中任一项所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：高谷秀史，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：