【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及可用于电荷消散的导电聚合物层及相关方法。
技术介绍
1、半导体处理使用电绝缘材料。这些材料易受静电电荷在这些材料的表面处积累的影响。此静电电荷的积累可延迟过程、损坏组件或引起伤害。
技术实现思路
1、一些实施例涉及一种装置,其包括:静电卡盘;及导电聚合物层,其位于所述静电卡盘上。在一些实施例中,所述导电聚合物层包括导电聚合物及光敏聚合物。
2、在一些实施例中,所述静电卡盘经配置用于通过施加静电力来固定衬底。
3、在一些实施例中,所述导电聚合物层具有1012欧姆/平方或更小的片电阻。
4、在一些实施例中,所述导电聚合物层具有3.5吉帕斯卡(gpa)或更小的杨氏模量。
5、在一些实施例中,所述光敏聚合物包括苯环丁烯(bcb)、聚苯并噁唑(pbo)、环氧树脂、聚酰亚胺中的至少一者或其任何组合。
6、在一些实施例中,所述导电聚合物包括聚乙炔(pac)、聚茀、聚苯、聚亚苯亚乙烯聚合体、聚芘、聚薁、聚萘、聚吡咯(ppy)、聚咔唑、聚
...【技术保护点】
1.一种装置,其包括:
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述静电卡盘经配置用于通过施加静电力来固定衬底。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述导电聚合物层具有1012欧姆/平方或更小的片电阻。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述导电聚合物层具有3.5吉帕斯卡(GPa)或更小的杨氏模量。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述光敏聚合物包括苯环丁烯(BCB)、聚苯并噁唑(PBO)、环氧树脂、聚酰亚胺中的至少一者或其任何组合。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述导电聚合物包括聚乙炔(PAC)、聚茀、聚
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置,其包括:
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述静电卡盘经配置用于通过施加静电力来固定衬底。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述导电聚合物层具有1012欧姆/平方或更小的片电阻。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述导电聚合物层具有3.5吉帕斯卡(gpa)或更小的杨氏模量。
5.根据权利要求1所述的装置,其中所述光敏聚合物包括苯环丁烯(bcb)、聚苯并噁唑(pbo)、环氧树脂、聚酰亚胺中的至少一者或其任何组合。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述导电聚合物包括聚乙炔(pac)、聚茀、聚苯、聚亚苯基乙烯、聚芘、聚薁、聚萘、聚吡咯(ppy)、聚咔唑、聚吲哚、聚吖呯、聚苯胺(pani)、聚并苯、聚噻吩(pt)、聚噻吩亚乙烯、聚(对亚苯硫醚)(pps)、聚(对苯亚乙烯聚合体)(ppv)、聚吡啶、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(pedot)、聚苯乙烯磺酸盐(pss)、聚(三芳胺)(ptaa)、聚(羟基甲基3,4-亚乙二氧基噻吩)(pedot-oh)中的至少一者或其任何组合。
7.根据权利要求1所述的装置,其中所述光敏聚合物经交联使得所述导电聚合物层具有光图案化表面。
8.根据权利要求1所述的装置,其中所述导电聚合物层不包括金属污染物。
9.根据权利要求8所述的装置,其中所述金属污染物包括铬、锰、铪、铁、铝、镁、钾、钠、钙、锶、钡、铜、铅、锌、锡、钴、镍、锑、汞、镉、铋、金、银、铂、钌、铑、钯、铱、铍、锂、铯、钛、锆、钒、铌、钽、钨、钼、镓、铟、铊、锗、铼、镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪、钇、钍中的至少一者或其任何组合。
10.一种静电卡盘,其包括:
11.根据权利要求10所述的静电卡盘,其中所述导电聚合物层具有1012欧姆/平方或更小的片电阻。
12.根据权利要求10所述的静电卡盘,其中所述导电聚合物层具有3.5吉帕斯卡(gpa)或更小的杨氏模量。
13.根据权利要求10所述的静电卡盘,其中所述光敏聚合物包括苯环丁烯(bcb)、聚苯并噁唑(pbo)、环氧树脂、聚酰亚胺中的至少一者或其任何...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘羽轩,李志峰,C·瓦尔德弗里德,刘研,C·凡卡拉曼,P·R·瓦兰阿西,
申请(专利权)人:恩特格里斯公司,
类型:发明
国别省市:
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