低压保护装置制造方法及图纸

技术编号:43517698 阅读:27 留言:0更新日期:2024-12-03 12:08
对于包括低压保护设备(1)和电源网络的低压保护装置,其中,低压保护设备(1)包括:具有外部导体电源连接件(3)的至少一个外部导体路径(2);机械旁路继电器(8),布置在外部导体路径(2)中;第一半导体电路装置(11),与机械旁路继电器(8)并联连接;控制和驱动器单元(13),被配置为驱动第一半导体电路装置(11);电源网络包括连接到外部导体电源连接件(3)的第一电感器(14),建议控制和驱动器单元(13)包括第一电源连接件和第二电源连接件(15、16),第一电源连接件和第二电源连接件(15、16)至少间接地与电源网络连接、并联到第一电感器(14)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及根据权利要求1的一般部分所述的低压保护装置


技术介绍

1、现代保护设备通常使用半导体和μc来驱动。就其功能而言,这些保护设备通常比完全机械断路器具有更高的性能且更有效。但是这些现代保护设备需要电源,电源与网络分开连接。

2、在许多国家,不允许保护设备需要辅助电源连接件。


技术实现思路

1、本专利技术的一个目的是通过提供一种不需要电源的低压保护设备来克服现有技术的缺点。

2、根据本专利技术,上述目的通过权利要求1的特征来解决。

3、结果,低压保护设备可以在没有电源或单独的电源连接件的情况下完全工作。因此,在仅允许使用电压无关保护设备的国家也可以使用这种保护设备。控制和驱动器单元以及低压保护设备的触发能力与具有附加电源的保护设备相同。

【技术保护点】

1.低压保护装置,包括低压保护设备(1)和电源网络(39),

2.根据权利要求1所述的低压保护装置,其特征在于,所述机械旁路继电器(8)包括断开线圈(17),所述断开线圈(17)布置在从所述外部导体路径(2)到所述中性导体路径(5)的第一导体路径(18)中,第二半导体(19)布置在所述第一导体路径(18)中,并且所述第二半导体(19)连接到所述控制和驱动器单元(13)。

3.根据权利要求2所述的低压保护装置,其特征在于,所述第一导体路径(18)连接所述外部导体电源连接件(3)与所述第一电感器(14)之间的所述外部导体路径(2)。

4.根据权利要求1至3...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.低压保护装置,包括低压保护设备(1)和电源网络(39),

2.根据权利要求1所述的低压保护装置,其特征在于,所述机械旁路继电器(8)包括断开线圈(17),所述断开线圈(17)布置在从所述外部导体路径(2)到所述中性导体路径(5)的第一导体路径(18)中,第二半导体(19)布置在所述第一导体路径(18)中,并且所述第二半导体(19)连接到所述控制和驱动器单元(13)。

3.根据权利要求2所述的低压保护装置,其特征在于,所述第一导体路径(18)连接所述外部导体电源连接件(3)与所述第一电感器(14)之间的所述外部导体路径(2)。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的低压保护装置,其特征在于,所述第一半导体电路装置(11)包括与所述第一半导体(12)并联布置的第二导体路径(20),并且第一二极管(21)和第一电容器(22)串联布置在所述第二导体路径(20)中。

5.根据权利要求4所述的低压保护装置,其特征在于,第三半导体(23)在所述第二导体路径(20)中与所述第一二极管(21)和所述第一电容器(22)串联布置,并且所述控制和驱动器单元(13)与所述第三半导体(23)连接。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的低压保护装置,其特征在于,所述低压保护设备(1)包括第三导体路...

【专利技术属性】
技术研发人员:凯南·阿斯坎
申请(专利权)人:伊顿智能动力有限公司
类型:发明
国别省市:

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