【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种驱动电路，具体涉及一种金属氧化物半导体场效应管驱动电路。
技术介绍
1、sic器件作为一种新型的宽禁带半导体器件，相较于传统的si器件具有更高的饱和速度、热导率、击穿场强，在中高压领域中，sic mosfet被认为是igbt的有效替代品。
2、受工艺、良率、封装、成本等因素的影响，单个sic mosfet通流能力较低，这也导致了其无法应用在大容量的电力电子设备上。因此，通常采用多个分立器件并联来达到更高的额定电流。由于器件参数不一致、电路寄生参数不对称，sic mosfet并联时会出现各个支路电流不均衡的问题。不均流会导致器件损耗分布不均，进而影响其热分布，最终导致器件寿命不均衡。为防止不均流问题对器件造成不可逆的损坏，工业中通常将其降额使用。这种做法没有充分利用器件的电流容量，因此需要更大的成本来实现。
3、现有回路对称布局方案，在多个器件并联时，难以实现完全对称；器件筛选无法确保器件参数的完全一致；耦合电感的均流方案恶化电压过冲，同时随着器件并联个数的增加，需要使用的耦合电感的数量也会增加，...
【技术保护点】
1. 一种动态开关延时的SiC MOSFET并联均流驱动电路，其特征在于，包括SiC MOSFETM1、SiC MOSFET M2、差分放大电路、开通延时电路、关断延时电路；
2. 根据权利要求1所述的一种动态开关延时的SiC MOSFET并联均流驱动电路，其特征在于，所述差分放大电路包括运算放大器U1和U2、电阻R9~R20、电容C5和C6、增强型P沟道MOSFET MP3和MP4、-5V电压源、与驱动信号VP相同的PWM信号；
3. 根据权利要求2所述的一种动态开关延时的SiC MOSFET并联均流驱动电路，其特征在于，所述SiC MOSF...
【技术特征摘要】
1. 一种动态开关延时的sic mosfet并联均流驱动电路，其特征在于，包括sic mosfetm1、sic mosfet m2、差分放大电路、开通延时电路、关断延时电路；
2. 根据权利要求1所述的一种动态开关延时的sic mosfet并联均流驱动电路，其特征在于，所述差分放大电路包括运算放大器u1和u2、电阻r9~r20、电容c5和c6、增强型p沟道mosfet mp3和mp4、-5v电压源、与驱动信号vp相同的pwm信号；
3. 根据权利要求2所述的一种动态开关延时的sic mosfet并联均流驱动电路，其特征在于，所述sic mosfet m1支路的开通延时辅助电路包括电阻r3、二极管d2、二极管d4、电容c1、增强型n沟道mosfet mn1；二极管d4阳极接增强型p沟道mosfet mp3的源极，二极管d4阴极接增强型n沟道mosfet mn1的栅极；电阻r3一端接增强型p沟道mosfet mp3的源极，电阻r3另一端接增强型n沟道mosfet mn1的栅极；电容c1一端接增强型n沟道mosfet mn1的栅极，电容c1另一端接sic mo...
【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，姚志远，任磊，杨素素，郭润东，郑一专，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：
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