一种用于激光等离子体的低电磁干扰脉冲强磁场装置及设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于激光等离子体的低电磁干扰脉冲强磁场装置及设备，包括：传输线缆，传输线缆为三同轴结构；金属屏蔽箱，与传输线缆一端的金属屏蔽层连接并接地；触发开关,触发开关的回流电极与外层电极连接；储能电容器，位于金属屏蔽箱内部，与金属屏蔽箱绝缘隔开；真空靶室，其内设置磁场线圈，磁场线圈分别与传输线缆另一端的芯电极和外层电极连接。本发明专利技术的传输线缆采用三同轴结构，在作为传导回流电流的外层电极外增加了金属屏蔽层，该金属屏蔽层与用于屏蔽储能电容器的电磁辐射的金属屏蔽箱连接并接地，对装置在整体上形成了全封闭的屏蔽，能够大幅度降低脉冲大电流产生的电磁辐射干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开涉及抗强电磁场干扰领域，具体而言，涉及一种用于激光等离子体的低电磁干扰脉冲强磁场装置及设备。

技术介绍

1、高功率激光与物质相互作用产生的激光等离子体广泛应用于激光真空镀膜、极紫外光刻光源、台式化高亮度光源、激光加速器、生物样品的瞬态成像等众多应用领域，以及核聚变和天体过程的实验研究等基础科研领域，这些研究和应用都需要在真空靶室或者充特定介质的靶室中进行，激光烧蚀放置在靶室内部的靶物质产生激光等离子体。

2、为了调控激光等离子体经常还需要一种脉冲强磁场设备，脉冲强磁场设备调控激光等离子体从而能够优化某些物理效应。用于激光等离子体的脉冲强磁场设备通常放置在激光等离子体的靶室外部，通过高压电容器瞬时放电的方式产生脉冲大电流，脉冲大电流通过穿越靶室的传输线进入靶室内部，最终在包围激光等离子体的磁场线圈上产生脉冲强磁场。

3、但脉冲强磁场设备产生的脉冲大电流伴随着强烈的电磁辐射，这些电磁辐射会严重干扰激光等离子体的电磁环境，在靶室壁上和靶室周围的实验设备上产生强烈的电磁干扰信号，甚至烧毁实验设备的电子线路。因此，需要脉冲强磁场本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于激光等离子体的低电磁干扰脉冲强磁场装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：设置在所述金属屏蔽箱内的高压直流电源；

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括：电池、隔离变压器和金属电磁屏蔽笼，

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，与所述触发开关连接的线缆为三同轴结构，所述触发开关的屏蔽层与所述金属屏蔽层连接。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述真空靶室仅与所述金属屏蔽层导通。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：引线屏蔽筒；

7.根...

【技术特征摘要】

1.一种用于激光等离子体的低电磁干扰脉冲强磁场装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：设置在所述金属屏蔽箱内的高压直流电源；

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括：电池、隔离变压器和金属电磁屏蔽笼，

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，与所述触发开关连接的线缆为三同轴结构，所述触发开关的屏蔽层与所述金属屏蔽层连接。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述真空靶室仅与所述金属屏蔽层导通。

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡广月，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：