多金属等离激元功能化的单分子阵列芯片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及单分子免疫检测芯片领域，具体公开了一种多金属等离激元功能化的单分子阵列芯片及其制备方法，生产原料包括基底芯片和多金属镀膜材料，所述多金属镀膜材料由复合贵金属镀膜材料和二硫化钼掺杂镀膜材料按照1:0.1～5的质量比组成；所述贵金属镀膜材料由金和银按照5～10:1的质量比组成；所述二硫化钼掺杂镀膜材料由增效金属材料和二硫化钼按照1:0.01～0.8的质量比组成；所述增效金属材料包括钌。其优点是：能够显著提高单分子阵列芯片的信噪比，进一步提高该技术在单分子免疫分析中的准确性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及生物检测芯片，尤其是单分子免疫检测芯片生产技术。

技术介绍

1、单分子阵列(single moleculearray，simoa)技术，是一种将单分子计数用于微量生物标记物的检测方法。该技术检测限可达飞克(fg/ml)数量级，是目前最具代表性的单分子免疫检测技术。系统源自于davidwalt与david duffy的团队开发的一套检测系统。其检测原理与数字pcr近似，都是通过微反应器单元进行单分子隔离结合单分子水平信号放大来实现的。

2、simoa技术是基于微阵列芯片的单分子免疫检测，是在毫米级芯片上雕刻(或浇筑)成千上万个微米级微井，每个微井体积约40fl左右(即单分子阵列芯片)，随后将免疫复合物磁珠分配于微井中，再借助高分辨率荧光显微镜对荧光点进行计数，依据泊松分布理论，计算同时含珠子与荧光产物孔的数量/含珠子孔总数的比值，以此确定测试样品中的被检测物浓度。其操作流程大致如下：

3、(1)利用表面标记有捕获抗体的磁珠捕获样品中的抗原；

4、(2)使用生物素标记的检测抗体对被捕获的抗原进行标记；

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【技术保护点】

1.多金属等离激元功能化的单分子阵列芯片的制备方法，其特征在于：生产原料包括基底芯片和多金属镀膜材料，所述多金属镀膜材料由复合贵金属镀膜材料和二硫化钼掺杂镀膜材料按照1:0.1～5的质量比组成；所述贵金属镀膜材料由金和银按照5～10:1的质量比组成；所述二硫化钼掺杂镀膜材料由增效金属材料和二硫化钼按照1:0.01～0.8的质量比组成；所述增效金属材料包括钌。

2.根据权利要求1所述的多金属等离激元功能化的单分子阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述增效金属材料由钌和钯按照1:0.3～1.5的质量比组成。

3.根据权利要求2所述的多金属等离激元功能化的单分子阵列芯片的...

【技术特征摘要】

1.多金属等离激元功能化的单分子阵列芯片的制备方法，其特征在于：生产原料包括基底芯片和多金属镀膜材料，所述多金属镀膜材料由复合贵金属镀膜材料和二硫化钼掺杂镀膜材料按照1:0.1～5的质量比组成；所述贵金属镀膜材料由金和银按照5～10:1的质量比组成；所述二硫化钼掺杂镀膜材料由增效金属材料和二硫化钼按照1:0.01～0.8的质量比组成；所述增效金属材料包括钌。

2.根据权利要求1所述的多金属等离激元功能化的单分子阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述增效金属材料由钌和钯按照1:0.3～1.5的质量比组成。

3.根据权利要求2所述的多金属等离激元功能化的单分子阵列芯片的制备方法，其特征在于：还包括在基底芯片上形成多金属复合材料膜，得到镀膜芯片的步骤。

4.根据权利要求3所述的多金属等离激元功能化的单分子阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述镀膜芯片的多金属复合材料膜厚度为55～120nm。

5.根据权利要求1所述的多金属等离激元功能化的单分子阵列芯片的制备方法，其特征在于：所述基底芯片选自硅单晶衬底基底芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：张汝，钟晟，刘彬，
申请(专利权)人：成都赋仁生物科技有限公司，
类型：发明
国别省市：