【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及用于清洁微电子装置衬底表面的水性组合物。
技术介绍
1、微电子装置衬底是用于制备集成电路装置。所述微电子装置衬底包含基底，诸如具有高度平坦表面的硅晶片。通过多次选择性放置和移除步骤，将电子功能特征的区域添加到基底的平坦表面上。所述特征是通过选择性添加和移除展现绝缘、导电或半导电性质的电子功能材料而制成。这些电子功能材料是通过使用加工材料按需放置，所述加工材料包含光致抗蚀剂、化学蚀刻剂和含有助于加工表面的磨料颗粒和化学材料的浆料。
2、集成电路的一个特征是导电“互连件”阵列，“互连件”也称作“线”和“通孔”。作为集成电路的部分，导电互连件用于在各种其它电子特征中和之间传导电流。各互连件是呈导电材料的线或薄膜形式，所述导电材料在绝缘材料(诸如电介质材料)中所形成的开口内延伸且是通过所述开口界定(在形状和大小上)。电介质材料用作极其紧密间隔的互连结构之间和所述互连结构与集成电路的其它电子特征之间的绝缘体。
3、必须选择用于产生互连结构和电介质结构的材料的类型以适当地用作以高效率和高可靠性表现的集成电...
【技术保护点】
1.一种组合物，其包括：
2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述亲核试剂是选自半胱氨酸、胱氨酸和1,3,4-噻二唑-2-甲基-5-硫醇。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述螯合剂是选自单乙醇胺、2-氨基-2-(羟甲基)-1,3-丙二醇、三乙醇胺和羟基亚乙基二膦酸。
4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述还原剂是选自二乙基羟胺、抗坏血酸和次磷酸。
5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述腐蚀抑制剂是双氰胺。
6.根据权利要求1所述的组合物，其中所述pH调节剂是选自氢氧化胆碱、氢氧化钾、四乙基氢氧化铵和...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种组合物，其包括：
2.根据权利要求1所述的组合物，其中所述亲核试剂是选自半胱氨酸、胱氨酸和1,3,4-噻二唑-2-甲基-5-硫醇。
3.根据权利要求1所述的组合物，其中所述螯合剂是选自单乙醇胺、2-氨基-2-(羟甲基)-1,3-丙二醇、三乙醇胺和羟基亚乙基二膦酸。
4.根据权利要求1所述的组合物，其中所述还原剂是选自二乙基羟胺、抗坏血酸和次磷酸。
5.根据权利要求1所述的组合物，其中所述腐蚀抑制剂是双氰胺。
6.根据权利要求1所述的组合物，其中所述ph调节剂是选自氢氧化胆碱、氢氧化钾、四乙基氢氧化铵和甲基三(羟乙基)氢氧化铵。
7.根据权利要求1所述的组合物，其中所述还原剂是二乙基羟胺，而所述腐蚀抑制剂是双氰胺。
8.根据权利要求1所述的组合物，其包括：
9.根据权利要求1所述的组合物，其进一步包括一种或多种选自以下的其它错合剂：1-羟基亚乙基-1,1-二膦酸、1,5,9-三氮杂环十二烷-n,n',n”-三(亚甲基膦酸)、1,4,7,10-四氮杂环十二烷-n,n',n”,n”'-四(亚甲基膦酸)、氮基三(亚甲基)三膦酸、二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)、氨基三(亚甲基膦酸)、双(六亚甲基)三胺五亚甲基膦酸、1,4,7-三氮杂环壬烷-n,n',n”-三(亚甲基膦酸)、羟乙基二膦酸酯、氮基三(亚甲基)膦酸、2-膦酸丁烷-1,2,3,4-四羧酸、羧乙基膦酸、氨基乙基膦酸、草甘膦；乙二胺四(亚甲基膦酸)苯...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊，王朝钰，D·怀特，M·L·怀特，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：
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