【技术实现步骤摘要】
本公开涉及蚀刻气体组合物以及通过使用该蚀刻气体组合物制造集成电路装置的方法。
技术介绍
1、随着电子工业的发展，半导体装置的集成度增加，因此，需要图案尺寸的小型化。在图案尺寸小型化时，图案变形，或者图案轮廓不均匀。因此，一直在进行关于具有高蚀刻选择性且能够实现均匀的图案轮廓的蚀刻气体组合物的研究。
技术实现思路
1、提供了一种蚀刻气体组合物，其具有高蚀刻选择性并且能够实现均匀的图案轮廓。
2、提供了一种制造集成电路装置的方法，其具有改善的可靠性。
3、另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地根据描述将是明显的，或者可以通过本公开的介绍的实施方案的实践习得。
4、根据本公开的一个方面，一种蚀刻气体组合物包含有机氟化合物和二硫化碳。
5、相对于100体积份的所述有机氟化合物，所述二硫化碳的含量可以是2体积份以下。
6、所述有机氟化合物可以包括具有3至10个碳原子的脂族烃，其中与碳键合的氢原子中的至少一个被氟原子取代。
<...【技术保护点】
1.一种蚀刻气体组合物，所述蚀刻气体组合物包含：
2.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其中相对于100体积份的所述有机氟化合物，所述二硫化碳的含量为2体积份以下。
3.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其中所述有机氟化合物包括具有3至10个碳原子的脂族烃，其中与碳键合的氢原子中的至少一个被氟原子取代。
4.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其中所述有机氟化合物包括选自以下各项中的至少一种：具有3个碳原子的第一组有机氟化合物，和具有4个碳原子的第二组有机氟化合物。
5.根据权利要求4所述的蚀刻气体组合物，其中所述第...
【技术特征摘要】
1.一种蚀刻气体组合物，所述蚀刻气体组合物包含：
2.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其中相对于100体积份的所述有机氟化合物，所述二硫化碳的含量为2体积份以下。
3.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其中所述有机氟化合物包括具有3至10个碳原子的脂族烃，其中与碳键合的氢原子中的至少一个被氟原子取代。
4.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其中所述有机氟化合物包括选自以下各项中的至少一种：具有3个碳原子的第一组有机氟化合物，和具有4个碳原子的第二组有机氟化合物。
5.根据权利要求4所述的蚀刻气体组合物，其中所述第一组有机氟化合物包括至少两种同分异构体。
6.根据权利要求4所述的蚀刻气体组合物，其中所述第一组有机氟化合物包括选自以下各项中的至少一种：1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、1,1,1,2,3,3-六氟丙烷和1,1,2,2,3,3-六氟丙烷。
7.根据权利要求4所述的蚀刻气体组合物，其中所述第二组有机氟化合物包括至少两种同分异构体。
8.根据权利要求4所述的蚀刻气体组合物，其中所述第二组有机氟化合物包括选自以下各项中的至少一种：六氟异丁烯、2,3,3,4,4,4-六氟-1-丁烯、1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯、(2z)-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯、(2z)-1,1,1,2,4,4-六氟-2-丁烯、1,1,2,3,4,4-六氟-2-丁烯、(2z)-1,1,2,3,4,4-六氟-2-丁烯、1,1,2,2,3,3-六氟环丁烷和(3r,4s)-1,1,2,2,3,4-六氟环丁烷。
9.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，所述蚀刻气体组合物还包含：
10.根据权利要求9所述的蚀刻气体组合物，其中所述惰性气体包括选自以下各项中的至少一种：氩气(ar)、氦气(he)、氖气(ne)、氮气(n2)、氪气(kr)...
【专利技术属性】
技术研发人员：闵庚石，金荣文，卢收练，吴知秀，金光培，李哲熙，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：
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