多孔硅包合物电极活性物质的制造方法和锂离子电池的制造方法技术

本发明专利技术涉及多孔硅包合物电极活性物质的制造方法和锂离子电池的制造方法。制造多孔硅包合物电极活性物质的本公开的方法包括：(a)提供包含硅包合物粒子的组合物，所述硅包合物粒子含有I型硅包合物和I I型硅包合物；和(b)将I型硅包合物的至少一部分除去，在硅包合物粒子中形成细孔，或者使硅包合物粒子的细孔增加。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及多孔硅包合物电极活性物质的制造方法和锂离子电池的制造方法。

技术介绍

1、近年来电池的开发盛行。例如，在汽车工业界，在推进用于蓄电池电动汽车或混合动力电动汽车的电池的开发。另外，作为用于电池、特别是锂离子电池的电极活性物质，已知硅。

2、硅电极活性物质的理论容量大，对电池的高能量密度化有效。另一方面，硅电极活性物质具有充电时的膨胀大的问题。对此，已知通过使用硅包合物电极活性物质作为硅电极活性物质，从而抑制充电时的膨胀。

3、例如，日本特开2021-158004公开了硅包合物电极活性物质，其具有硅包合物ii型的晶相，在一次粒子的内部具有空隙，细孔直径为100nm以下的空隙的空隙量为0.05cc/g以上且0.15cc/g以下。

技术实现思路

1、作为硅包合物的晶体的种类，存在i型硅包合物和ii型硅包合物等。特别是在ii型硅包合物中，在晶体具有的笼型结构部分中有效率地吸留锂。因此，电池的充放电时，ii型硅包合物的膨胀收缩小。

2、另外，具有细孔的硅包合物粒子由于其细孔，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.多孔硅包合物电极活性物质的制造方法，其包括下述的工序：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述I型硅包合物的质量相对于所述包含硅包合物粒子的组合物的合计质量的比例为5.0质量％以上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在工序(b)中，使所述硅包合物粒子与氟化氢溶液接触，将所述I型硅包合物的至少一部分除去。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述氟化氢溶液的溶剂为水与有机溶剂的混合溶剂。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅包合物电极活性物质用于锂离子电池的负极活性物质。

6.锂离子电池的制造方法，包括：采用根据权...

【技术特征摘要】

1.多孔硅包合物电极活性物质的制造方法，其包括下述的工序：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述i型硅包合物的质量相对于所述包含硅包合物粒子的组合物的合计质量的比例为5.0质量％以上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在工序(b)中，使所述硅包合物粒子与氟化氢溶液接触，将所述i型硅包合物的至少一部分除去。

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【专利技术属性】
技术研发人员：真下直大，大泷光俊，吉田淳，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：