低噪声放大器和射频前端模组制造技术

本申请公开了一种低噪声放大器和射频前端模组，该低噪声放大器包括信号输入端、信号输出端、放大支路、匹配电感和旁路支路；匹配电感的第一端与信号输入端连接，放大支路的第一端与匹配电感的第二端连接，放大支路的第二端与信号输出端连接；旁路支路的第一端与匹配电感的第一端连接，旁路支路的第二端连接在放大支路和信号输出端之间的公共端。上述射频前端模组，通过将匹配电感设置在放大支路的输入端和旁路支路的输入端之间，不但可以对放大支路的输入端和旁路支路的输入端进行隔离，还能抵消旁路支路所产生的等效寄生电容，以削弱旁路支路对放大支路的反馈，减小放大支路的寄生电容和密勒效应，从而提升了低噪声放大器的增益。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及射频，尤其涉及一种低噪声放大器和射频前端模组。

技术介绍

1、在射频技术中，低噪声放大器作为射频前端模组中的重要元器件，用于接收从天线传输过来的射频信号，并对接收的射频信号进行放大。在相关技术中，低噪声放大器中的旁路支路在关断后会对低噪声放大器中的放大支路形成负反馈，从而降低低噪声放大器的增益，进而降低了射频前端模组的射频信号的输出质量。

技术实现思路

1、本申请提供了一种低噪声放大器和射频前端模组，解决了相关技术中低噪声放大器的旁路支路会对放大支路形成负反馈，导致降低低噪声放大器的放大能力的问题。

2、第一方面，本申请提供了一种低噪声放大器，所述低噪声放大器包括：信号输入端和信号输出端；匹配电感，所述匹配电感的第一端与所述信号输入端连接；放大支路，所述放大支路的第一端与所述匹配电感的第二端连接，所述放大支路的第二端与所述信号输出端连接；旁路支路，所述旁路支路的第一端与所述匹配电感的第一端连接，所述旁路支路的第二端连接在所述放大支路和所述信号输出端之间的公共端。>

3、上述射频本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括信号放大芯片，所述信号放大芯片设置基板上，所述放大支路与所述旁路支路被配置在所述信号放大芯片中，所述匹配电感被配置在所述基板中；

3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括信号放大芯片，所述信号放大芯片设置基板上，所述放大支路被配置在所述信号放大芯片中，所述匹配电感与所述旁路支路被配置在所述基板中；

4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括信号放大芯片，所述信号放大芯片设置基板上，...

【技术特征摘要】

1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括信号放大芯片，所述信号放大芯片设置基板上，所述放大支路与所述旁路支路被配置在所述信号放大芯片中，所述匹配电感被配置在所述基板中；

3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括信号放大芯片，所述信号放大芯片设置基板上，所述放大支路被配置在所述信号放大芯片中，所述匹配电感与所述旁路支路被配置在所述基板中；

4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括信号放大芯片，所述信号放大芯片设置基板上，所述匹配电感、所述旁路支路以及所述放大支路均被配置在所述信号放大芯片中；

5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器还包括信号放大芯片和第二芯片，所述第二芯片设置基板上，所述旁路支路被配置在所述第二芯片中，所述匹配电感被配置在所述基板中；

6.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其特征在于，所述信号放大芯片为互补金属氧化物半导体芯片，所述第二芯片为绝缘衬底硅芯片。

【专利技术属性】
技术研发人员：张艺，宋楠，李镁钰，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：