一种柔性基底光热转换薄膜及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种柔性基底光热转换薄膜及其制备方法和应用，属于光热转换膜制备技术领域。本发明专利技术公开的制备方法，采用Cu、Ag和MoS2原子共溅射的方法，在柔性基底表面形成Cu、Ag掺杂的MoS2复合薄膜，采用柔性基底和共溅射法制备工艺，使得薄膜具有优异的柔韧性和可弯曲性，适用于可穿戴电子设备等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光热转换膜制备，具体涉及一种柔性基底光热转换薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

1、随着可穿戴电子物联网的迅速发展，柔性光热转换材料因其独特的优势而备受关注。然而，现有的柔性光热转换材料往往存在吸收率低、发射率高以及光热转换效率低等问题，限制了其在实际应用中的性能。因此，开发一种高效、稳定的柔性光热转换材料具有重要的实际意义。

2、近年来，二硫化钼(mos2)作为一种典型的二维层状材料，因其优异的光学、电学和机械性能而备受关注。然而，纯mos2的光热转换效率有限，需要通过掺杂等手段进行性能优化。银(ag)和铜(cu)作为常见的金属掺杂元素，能够有效提高mos2的光吸收能力和光热转换效率。本研究采用共溅射法，在柔性棉布基底上成功制备了ag-mos2、cu-mos2以及ag-cu-mos2共掺杂的光热转换薄膜。这种方法不仅实现了金属元素与mos2的有效结合，还保证了薄膜的柔韧性和轻便性。通过精确控制溅射条件，可以调控薄膜中金属元素的掺杂量和分布，从而优化其光热性能。

3、例如，公开号为cn 110408158 a的中国专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种柔性基底光热转换薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种柔性基底光热转换薄膜的制备方法，其特征在于，在将Cu、Ag和MoS2原子共溅射到柔性基底之前，所述柔性基底采用超声清洗20min～30min。

3.根据权利要求1所述的一种柔性基底光热转换薄膜的制备方法，其特征在于，所述柔性基底为棉布、聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种柔性基底光热转换薄膜的制备方法，其特征在于，所述柔性基底的表面粗糙度<30nm；所述共溅射的时间为20～40min，功率为90～110W。

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种柔性基底光热转换薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种柔性基底光热转换薄膜的制备方法，其特征在于，在将cu、ag和mos2原子共溅射到柔性基底之前，所述柔性基底采用超声清洗20min～30min。

3.根据权利要求1所述的一种柔性基底光热转换薄膜的制备方法，其特征在于，所述柔性基底为棉布、聚酰亚胺薄膜或聚酯薄膜中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种柔性基底光热转换薄膜的制备方法，其特征在于，所述柔性基底的表面粗糙度<30nm；所述共溅射的时间为20～40min，功率为90～110w。

5.根据权利要求1所述的一种柔性基底光热转换薄膜的制备方法，其特征在于，所述cu、ag和mos2原子共溅射采用共同溅射cu靶、ag靶和mos2靶进行；所述cu靶、ag靶和mos2靶与基底之间的距离...

【专利技术属性】
技术研发人员：师晶，郝晨伟，邓康勋，谭李，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：