半导体装置的制造方法及半导体装置制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法，其包括：准备具有第1支撑基板、第1绝缘膜、设置于第1绝缘膜的第1凹部内的第1电极的第1基板的工序；准备具有第2支撑基板、第2绝缘膜、设置于第2绝缘膜的第2凹部内的第2电极的第2基板的工序；贴合第1基板的第1绝缘膜与第2基板的第2绝缘膜的工序；及接合第1基板的第1电极与第2基板的第2电极的的工序。第1绝缘膜包含有机绝缘膜。第1电极包含：第1电极主体，设置于第1凹部内；第1阻挡金属，设置于第1凹部的内面及底面中的至少一者且覆盖第1电极主体的一部分；及第2阻挡金属，在第1凹部的开口侧覆盖第1电极主体的表面。第1绝缘膜与第1阻挡金属的黏合强度为30MPa以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。

技术介绍

1、近年来，为了提高大规模集体电路的集成度，研究了三维安装。专利文献1及非专利文献1中公开出半导体芯片的三维安装的一例。

2、以往技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：美国专利申请公开第2021/002815号说明书

5、非专利文献

6、非专利文献1：f.c.chen et al.,“systemon integrated chips(soic tm)for 3dheterogeneous integration”,2019ieee 69th electronic components and technologyconference(ectc),p.594-599(2019)

技术实现思路

1、专利技术要解决的技术课题

2、在通过三维安装制作半导体装置的情况下，为了使装置彼此的配线的微细化，正在研究使用混合接合技术。然而，根据图7的(b)所示，在进行混合接合时，有时在接合本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中,

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中,

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中,

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中,

6.根据权利要求3至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中,

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中,

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其中,

9.根据权利要求3至8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中,

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中,

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其中,

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中,

6.根据权利要求3至5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中,

7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中,

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置的制造方法，其中,

9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：鸟羽正也，满仓一行，乃万裕一，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：