【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及靶材加工，具体涉及一种改善靶材外圆r角崩边的方法。
技术介绍
1、靶材是用于溅射镀膜工艺的关键材料，广泛应用于集成电路、平板显示器、太阳能电池等领域。
2、靶材的磨头加工是靶材制备过程中的一个重要环节，主要用于改善靶材靶材表面粗糙度，减少镀膜过程中的颗粒产生；精确控制靶材的尺寸和形状，以适应特定的溅射设备和工艺要求；以及对靶材边缘进行磨斜边处理，以减少镀膜时的边缘效应等方面。其中，硬脆性靶材如铬硅、钨硅等，由于具有高硬度和低韧性，导致其在磨头加工过程中容易受到损伤。尤其是对于靶材外圆结构为斜板且设置倒r角的靶材而言，该结构能够提高磁场强度，促进反溅射层再溅射，改善使用末期的颗粒物过高的问题，并且能够避免靶材表面存在尖锐角导致的异常放电，但是具有该结构的硬脆性靶材在磨头加工过程中，磨头会挤压r角，造成其薄弱的尖端出现不同程度的断裂。但是，此时已经加工至成品尺寸，崩边会与焊料粘接，难以清除碎屑，在物理气相沉积的过程中会引起严重的颗粒物以及异常放电问题，造成靶材无法使用。
3、因此，提供一种改善靶材外圆r...
【技术保护点】
1.一种改善靶材外圆R角崩边的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述靶材的材质包括铬硅、钨硅、氧化铝、石英或碳化硅中的任意一种。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述直阶的厚度为0.5-3mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述倒R角的半径为0.5-2mm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述直磨头或斜磨头的材质包括金刚石。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述第一磨削的磨头转速为...
【技术特征摘要】
1.一种改善靶材外圆r角崩边的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述靶材的材质包括铬硅、钨硅、氧化铝、石英或碳化硅中的任意一种。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述直阶的厚度为0.5-3mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述倒r角的半径为0.5-2mm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述直磨头或斜磨头的材质包括金刚石。
6.根据权利要求1-...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，钱壮，杨慧珍，周友平，廖培君，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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