阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的驱动方法制造方法及图纸

技术编号:43476008 阅读:19 留言:0更新日期:2024-11-29 16:50
本公开实施例提供一种阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的驱动方法。所述阵列基板包括:栅线组,数据线,像素电极组,多个第一晶体管,多个第二晶体管,以及第一电极;所述第一像素电极通过所述第一晶体管电连接于:所述第一类栅线、以及所述第一像素电极所在所述像素电极组两侧所述数据线中与所述第二像素电极相邻的所述数据线;所述第二像素电极通过所述第二晶体管电连接于:所述第二类栅线,以及所述第二像素电极所在所述像素电极组两侧所述数据线中与所述第一像素电极相邻的所述数据线;所述第一电极位于所述数据线背离所述衬底一侧,且所述第一电极在所述衬底的正投影,至少覆盖相邻所述栅线组之间的所述数据线在所述衬底的正投影。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,尤其涉及一种阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的驱动方法


技术介绍

1、单栅结构为每一行像素对应一条栅线,每一列数据线对应一列像素;相比于单栅结构,双栅(dual gate)产品通过增加栅线(gate)、减少数据线(data)的方法减少源极(source)ic的数量,从而达到降低成本的目的。例如分辨率1280*480的产品,其gate线的数量为480行,data线的数量为1280*3=3840,主流的ic其通道数为1920个,总共需要2颗source ic来完成整个面板(panel)的驱动。而若使用dual gate技术,gate线的数量为480*2=960行,因gate通常使用栅极集成驱动(gate on array,goa)技术,gate线的增加不会导致gate ic数量的增加,data线的数量为1280*3/2=1920,那仅使用一颗ic。


技术实现思路

1、本公开实施例提供一种阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的驱动方法。所述阵列基板包括:位于衬底一侧沿第一方向延伸的栅本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阵列基板,其中,包括:位于衬底一侧沿第一方向延伸的栅线组,沿第二方向延伸的数据线,位于所述栅线组与所述数据线交叉形成区域内的像素电极组,多个第一晶体管,多个第二晶体管,以及第一电极;

2.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一电极位于所述数据线与所述像素电极组之间。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其中,所述第一电极包括:多个沿所述第一方向延伸的电极条;

4.如权利要求3所述的阵列基板,其中,所述阵列基板还包括:至少一条沿所述第二方向延伸的第一电极引线,以及位于所述第一电极引线与所述电极条之间的第一有机绝缘层;所述第一有机绝缘层具有第一过孔...

【技术特征摘要】

1.一种阵列基板,其中,包括:位于衬底一侧沿第一方向延伸的栅线组,沿第二方向延伸的数据线,位于所述栅线组与所述数据线交叉形成区域内的像素电极组,多个第一晶体管,多个第二晶体管,以及第一电极;

2.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一电极位于所述数据线与所述像素电极组之间。

3.如权利要求2所述的阵列基板,其中,所述第一电极包括:多个沿所述第一方向延伸的电极条;

4.如权利要求3所述的阵列基板,其中,所述阵列基板还包括:至少一条沿所述第二方向延伸的第一电极引线,以及位于所述第一电极引线与所述电极条之间的第一有机绝缘层;所述第一有机绝缘层具有第一过孔;

5.如权利要求2-4任一项所述的阵列基板,其中,所述第一像素电极、第二像素电极包括:沿所述第二方向排布第一子像素电极组,以及第二子像素电极组;所述第一子像素电极组包括:沿所述第一方向排布的第一子像素电极部、第二子像素电极部;所述第二子像素电极组包括:沿所述第一方向排布的第三子像素电极部、第四子像素电极部;所述第一子像素电极部与所述第三子像素电极部沿所述第二方向排布,所述第二子像素电极部与所述第四子像素电极部沿所述第二方向排布;

6.如权利要求2-4任一项所述的阵列基板,其中,所述第一像素电极为块状,所述第二像素电极为块状。

7.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述第一电极与所述像素电极组位于同一层。

8.如权利要求7所述的阵列基板,其中,所述第一电极包括:沿所述第二方向延伸的第一主部;所述第一主部在所述衬底的正投影,覆盖所述数据线在所述衬底的正投影...

【专利技术属性】
技术研发人员:王超江鹏缪应蒙朱宁周焱陈晓晓李云张毅
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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