一种高灵敏二维表面增强拉曼散射基底及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高灵敏二维表面增强拉曼散射基底及其制备方法，本发明专利技术所述基底以Si/SiO<subgt;2</subgt;片为生长衬底，沉积氮掺杂的二维半导体纳米材料层；所述Si/SiO<subgt;2</subgt;片包括硅层和二氧化硅层；所述基底自下而上依次为硅层、二氧化硅层、氮掺杂的二维半导体纳米材料层。本发明专利技术所述制备方法，通过尿素在高温下发生氨解反应分解形成的氨气，不仅将氮元素掺杂进二维半导体材料中，还能够向二维半导体材料引入缺陷，通过改变基底能带结构和表面电势，调节基底与被吸附分子之间的电荷相互作用，从而增强SERS灵敏度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及表面增强拉曼散射基底，具体涉及一种高灵敏二维表面增强拉曼散射基底及其制备方法。

技术介绍

1、表面增强拉曼散射(sers)是一种无损的分子检测技术，它反映了分子键振动能量和转动能量信息，是一种能够对分子进行特异性识别的光谱技术。sers广泛应用于生物学、材料学、和工业产品质量控制等各个领域，是研究分子结构、晶体结构、固体中的缺陷和杂质、生物分子和工业材料微观结构的有效手段。

2、常用的基于金、银、铜等贵金属的sers基底具有价格昂贵，稳定性不高和生物相容性差等缺点，新的sers基底的制造和原理的探索对推动sers技术的发展具有重要意义。近年来，诸如石墨烯、过渡金属硫化物、金属氧化物等一些二维材料被发现也具有sers效应，特别是以二硫化钼为代表的二维半导体材料，因其具有良好的生物相容性、稳定性、光吸收和光催化活性等优越性能被广泛研究。半导体二维材料sers基底的增强机理主要为化学增强机理，利用入射激光作用下的被吸附物和基底之间的电荷相互作用达到拉曼增强的效果。现有研究表明单层二维半导体材料作为sers基底的增强因子低低，检测极限低，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高灵敏二维表面增强拉曼散射基底，其特征在于，该基底以Si/SiO2片为生长衬底，沉积氮掺杂的二维半导体纳米材料层；所述Si/SiO2片包括硅层和二氧化硅层；所述基底自下而上依次为硅层、二氧化硅层、氮掺杂的二维半导体纳米材料层；其中，以二氧化硅层为生长衬底，氮掺杂的二维半导体纳米材料层通过化学气相沉积法生长在二氧化硅层上。

2.根据权利要求1所述的高灵敏二维表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述氮掺杂的二维半导体纳米材料层为单层二硫化钼纳米片，厚度为0.65-1nm，边长为20-80μm；所述二氧化硅层的厚度为285nm。

3.一种权利要求1-2任一项所述高...

【技术特征摘要】

1.一种高灵敏二维表面增强拉曼散射基底，其特征在于，该基底以si/sio2片为生长衬底，沉积氮掺杂的二维半导体纳米材料层；所述si/sio2片包括硅层和二氧化硅层；所述基底自下而上依次为硅层、二氧化硅层、氮掺杂的二维半导体纳米材料层；其中，以二氧化硅层为生长衬底，氮掺杂的二维半导体纳米材料层通过化学气相沉积法生长在二氧化硅层上。

2.根据权利要求1所述的高灵敏二维表面增强拉曼散射基底，其特征在于，所述氮掺杂的二维半导体纳米材料层为单层二硫化钼纳米片，厚度为0.65-1nm，边长为20-80μm；所述二氧化硅层的厚度为285nm。

3.一种权利要求1-2任一项所述高灵敏二维表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述三氧化钼与硫粉的质...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宏荣，唐茂林，赵军华，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：