一种热敏薄膜电阻及其制备方法技术

技术编号:43475195 阅读:21 留言:0更新日期:2024-11-27 13:15
本发明专利技术提供了一种热敏薄膜电阻及其制备方法;通过包括衬底,衬底上设置有第一热敏薄膜层,第一热敏薄膜层上设置有叉指金属电极层,叉指金属电极层的的间隔处填充设置有热敏材料填充层,热敏材料填充层的厚度与叉指金属电极层的厚度一致,热敏材料填充层与叉指金属电极层上覆盖设置有第二热敏薄膜层,叉指金属电极层的两端分别设置有第一电极端以及第二电级端;通过上下堆叠的方法使叉指金属电极层包覆于第一热敏薄膜层以及第二热敏薄膜层之间,在施加恒定电流工作时使叉指金属电极层、第一热敏薄膜层以及第二热敏薄膜层形成并联通路;更小的体积和表面积使得热敏元件具有更低的体积热容,带来了响应速度和灵敏度方面的性能提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及温度敏感元件,具体而言,涉及一种热敏薄膜电阻及其制备方法


技术介绍

1、集成电路是信息时代重要的技术基础,也是国家战略竞争力的重要标志。随着摩尔定律收益放缓,效能瓶颈及功能融合复杂性等挑战性难题衍生出超越摩尔定律的后摩尔时代促使集成电路芯片朝系统化方向发展。无源器件占集成系统元器件数量和面积的70%-80%,将集成电路与外围无源器件结合为协同或融合设计的多功能整体,可显著减少系统所需器件和转接数量,进而大幅减小电路尺寸、降低插损,是后摩尔时代集成电路技术潜在发展方向之一。在众多无源敏感器件中,以过渡金属氧化物为核心的负温度系数(ntc)热敏电阻以其兼具高灵敏、高可靠、低成本等压倒性优势成为电路温度监测、温度补偿、抑制浪涌电流时所必不可少的电子器件。将ntc热敏材料薄膜化从而突破传统分立电阻难以兼容于微纳加工技术的瓶颈,有助于推进全面打通无源器件集成任务。

2、但是,在目前的集成电路的发展中,广泛使用的ntc热敏薄膜具有高灵敏度的优势,但其相比体电阻更高的电阻值也需要调控以适应多场景的应用。传统使用叉指金属电极与ntc热敏薄膜结合本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种热敏薄膜电阻,其特征在于,包括衬底,所述衬底上设置有第一热敏薄膜层,所述第一热敏薄膜层上设置有叉指金属电极层,所述叉指金属电极层的的间隔处填充设置有热敏材料填充层,所述热敏材料填充层的厚度与所述叉指金属电极层的厚度一致,所述热敏材料填充层与所述叉指金属电极层上覆盖设置有第二热敏薄膜层,所述叉指金属电极层的两端分别设置有第一电极端以及第二电级端。

2.根据权利要求1所述的热敏薄膜电阻,其特征在于,所述衬底材料为硅片、氧化铝、氮化硅以及碳化硅的任意一种。

3.根据权利要求1所述的热敏薄膜电阻,其特征在于,所述的第一热敏薄膜层、热敏材料填充层和第二热敏薄膜层材料...

【技术特征摘要】

1.一种热敏薄膜电阻,其特征在于,包括衬底,所述衬底上设置有第一热敏薄膜层,所述第一热敏薄膜层上设置有叉指金属电极层,所述叉指金属电极层的的间隔处填充设置有热敏材料填充层,所述热敏材料填充层的厚度与所述叉指金属电极层的厚度一致,所述热敏材料填充层与所述叉指金属电极层上覆盖设置有第二热敏薄膜层,所述叉指金属电极层的两端分别设置有第一电极端以及第二电级端。

2.根据权利要求1所述的热敏薄膜电阻,其特征在于,所述衬底材料为硅片、氧化铝、氮化硅以及碳化硅的任意一种。

3.根据权利要求1所述的热敏薄膜电阻,其特征在于,所述的第一热敏薄膜层、热敏材料填充层和第二热敏薄膜层材料均为ntc热敏氧化物。

4.根据权利要求1所述的热敏薄膜电阻,其特征在于,所述的叉指金属电极层的材料可为铂、金、镍、铬、合金以及导电陶瓷的任意一种,第一电极端以及所述第二电极端上设置有电镀层。

5.根据权利要求1所述的热敏薄...

【专利技术属性】
技术研发人员:孔雯雯杨博宋育贤高博窦盈莹常爱民
申请(专利权)人:中国科学院新疆理化技术研究所
类型:发明
国别省市:

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