液晶介质制造技术

本发明专利技术涉及具有正介电各向异性的液晶(LC)介质，和涉及包含这些介质的液晶显示器(LCD)，尤其涉及由有源矩阵寻址的显示器，并且特别是TN、PS‑TN、STN、TN‑TFT、OCB、IPS、PS‑IPS、FFS、HB‑FFS、XB‑FFS、PS‑FFS、SA‑HB‑FFS、SA‑XB‑FFS、聚合物稳定化SA‑HB‑FFS、聚合物稳定化SA‑XB‑FFS、正VA或正PS‑VA型的节能LC显示器。所述介质具有对于UV辐射和升高的温度的改善的长期稳定性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

1.液晶介质，其特征在于其包含一种或多种式I的化合物

2.根据权利要求1的介质，其特征在于，所述介质包含一种或多种式H的化合物

3.根据权利要求1或2所述的介质，其特征在于在式I中，

4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的介质，其特征在于一种或多种式I的化合物选自下式的化合物：

5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的介质，其特征在于一种或多种式H的化合物选自下式H-2-1至H-2-6的化合物：

6.根据权利要求1至5中一项或多项的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式H-3-1至H-3-10的化合物：

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.液晶介质，其特征在于其包含一种或多种式i的化合物

2.根据权利要求1的介质，其特征在于，所述介质包含一种或多种式h的化合物

3.根据权利要求1或2所述的介质，其特征在于在式i中，

4.根据权利要求1至3中一项或多项所述的介质，其特征在于一种或多种式i的化合物选自下式的化合物：

5.根据权利要求1至4中一项或多项所述的介质，其特征在于一种或多种式h的化合物选自下式h-2-1至h-2-6的化合物：

6.根据权利要求1至5中一项或多项的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式h-3-1至h-3-10的化合物：

7.根据权利要求1至6中一项或多项所述的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式的化合物:

8.根据权利要求1至7中一项或多项所述的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式的化合物

9.根据权利要求1至8中一项或多项所述的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式的化合物

10.根据权利要求9所述的液晶介质，其中一种或多种式ii的化合物选自以下子式：

11.根据权利要求9所述的液晶介质，其中一种或多种式iii的化合物选自以下子式：

12.根据权利要求1至11中一项或多项所述的液晶介质，其特征在于其额外地包含一种或多种选自下式的化合物

13.根据权利要求1至12中一项或多项所述的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种式xiv的化合物

14.根据权利要求1至13中一项或多项所述的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种式xvi的化合物

15.根据权利要求1至14中一项或多项所述的液晶介质，其特征在于其包含一种或多种选自下式的化合物

16.根据权利要求1至15中一项或多项所述的液晶介质，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·赫施曼，S·肖恩，P·武赫，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：