一种电子器件、鉴相器电路以及电子设备制造技术

技术编号:43470415 阅读:17 留言:0更新日期:2024-11-27 13:08
本发明专利技术提供一种电子器件、鉴相器电路以及电子设备,涉及晶体管技术领域。衬底布设于底部,第一半导体材料布或第二半导体材料设于衬底之上;第一半导体材料或第二半导体材料顶部中间区域上方布设绝缘层;除顶部中间区域以外的两端,一端上方布设第一端,另一端上方布设第二半导体材料或第二端;绝缘层上方布设第三端。本发明专利技术极大的缩减了电路的面积开销。尤其是在复杂系统用到多个鉴相器时,相较于传统的鉴相器来说,大大减少了复杂系统电路的总面积。减少了电压信号传递的次数,使得鉴相器对输入电压信号的任何跳变不敏感程度减小,增大了鉴相器的最大鉴相范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成晶体管,特别是一种电子器件、鉴相器电路以及电子设备


技术介绍

1、鉴相器(phase detector,pd),指的是能够鉴别出输入信号的相位差的器件,是使输出电压与两个输入信号之间的相位差有确定关系的电路。鉴相器是锁相环的基本部件之一,也用于调频和调相信号的解调。锁相环(phase locked loop,pll)是一种利用相位同步产生的电压,去调谐压控振荡器以产生目标频率的负反馈控制系统。

2、目前的鉴相器通常需要多个晶体管来实现,而晶体管数量较多势必会增加电路的面积开销。并且复杂系统会用到多个鉴相器,因此会大大增加复杂系统电路的总面积。


技术实现思路

1、鉴于上述问题,本专利技术提出了一种电子器件、鉴相器电路以及电子设备。

2、本专利技术实施例提供了一种电子器件,所述电子器件包括:第一端、第二端、第三端、衬底、绝缘层、第一半导体材料和/或第二半导体材料;所述第一半导体材料与所述第二半导体材料的材料不同;所述第二端包括:一个第二子端或者多个第二子端;

...

【技术保护点】

1.一种电子器件,其特征在于,所述电子器件包括:第一端、第二端、第三端、衬底、绝缘层、第一半导体材料和/或第二半导体材料;所述第一半导体材料与所述第二半导体材料的材料不同;所述第二端包括:一个第二子端或者多个第二子端;

2.根据权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述第一半导体材料包括:N型二维半导体材料;

3.根据权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述P型二维半导体材料、所述N型二维半导体材料包括:本征的或者经过掺杂的二维材料。

4.根据权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述P型二维半导体材料、所述N型二维半导体材料各自的层数均为:1到20...

【技术特征摘要】

1.一种电子器件,其特征在于,所述电子器件包括:第一端、第二端、第三端、衬底、绝缘层、第一半导体材料和/或第二半导体材料;所述第一半导体材料与所述第二半导体材料的材料不同;所述第二端包括:一个第二子端或者多个第二子端;

2.根据权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述第一半导体材料包括:n型二维半导体材料;

3.根据权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述p型二维半导体材料、所述n型二维半导体材料包括:本征的或者经过掺杂的二维材料。

4.根据权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述p型二维半导体材料、所述n型二维半导体材料各自的层数均为:1到20层之间。

5.根据权利要求2所述的电子器件,其特征在于,所述p型二维半导体材料与所述n型二维半导体材料之间通过范德瓦尔斯力结合,且在制备所述p型二维半导体材料和所述n型二维半导体材料时会经过退火处理。

6.根据权利要求1所述的电子器件,其特征在于,所述第一端、所述第二端、所述第三端的制作材料包括:导电性能好的金属...

【专利技术属性】
技术研发人员:张璐展永政林宁亚张青
申请(专利权)人:山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1