半导体构件的制造方法技术

技术编号:43470205 阅读:23 留言:0更新日期:2024-11-27 13:08
一种半导体构件的制造方法。[课题]提供半导体元件等中使用的半导体构件的新型制造方法。[解决手段]半导体构件的制造方法具有下述工序:准备处理对象物的工序,所述处理对象物具备由导电性半导体构成的晶圆和配置在晶圆的上表面上的掩模;以及,通过将处理对象物浸渍于蚀刻液,并从晶圆的前述上表面侧照射光,从而对晶圆进行光电化学蚀刻的工序;在对晶圆进行光电化学蚀刻的工序中,通过对晶圆的掩模的外侧部分进行蚀刻,从而在掩模的下方形成凸部,通过对凸部的彼此相对的第一侧面和第二侧面进行蚀刻直至第一侧面与第二侧面之间的总宽度耗尽为止,从而使第一侧面和第二侧面的蚀刻自动停止。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体构件的制造方法


技术介绍

1、半导体材料形成有结构的半导体构件被广泛用于半导体元件等。例如,形成有鳍结构作为栅部的鳍场效应晶体管是已知的(例如参照专利文献1)。例如,半导体元件中使用的结构会对元件的动作特性造成影响,因此,优选以精密形状来形成。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:国际公开第2017/047286号


技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

2、本专利技术的一个目的是提供半导体元件等中使用的半导体构件的新型制造方法。

3、用于解决问题的方案

4、根据本专利技术的一个方式,提供一种半导体构件的制造方法,其具有如下工序:

5、准备处理对象物的工序,所述处理对象物具备由导电性半导体构成的晶圆和配置在前述晶圆的上表面上的掩模,

6、通过将前述处理对象物浸渍于蚀刻液,并从前述晶圆的前述上表面侧照射光,从而对前述晶圆进行光电化学蚀刻的工序,

7、在对前述晶圆进行光电化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体构件的制造方法,其具有如下工序:

2.根据权利要求1所述的半导体构件的制造方法,其中,所述掩模包含线状部分,

3.根据权利要求1所述的半导体构件的制造方法,其中,所述掩模包含岛状部分,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体构件的制造方法,其还具有下述工序:

【技术特征摘要】

1.一种半导体构件的制造方法,其具有如下工序:

2.根据权利要求1所述的半导体构件的制造方法,其中,所述掩模包含线状部分,

3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:藤仓序章
申请(专利权)人:住友化学株式会社
类型:发明
国别省市:

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