发光元件及其制造方法、发光性化合物及其制造方法、组合物及其制造方法、信息处理方法、信息处理装置、计算机程序产品、发光性化合物的提供方法以及数据生成方法制造方法及图纸

技术编号:43469759 阅读:19 留言:0更新日期:2024-11-27 13:07
本发明专利技术提供一种能够有效地得到可具有良好特性的化合物的信息处理方法等。本发明专利技术的信息处理方法是取得多个候选化合物的通过量子化学计算所得的光谱指标,根据所得的上述光谱指标,将各化合物分类为光谱指标满足预定条件的群组以及光谱指标未满足预定条件的群组,并提取被分类为上述光谱指标满足预定条件群组的发光性化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及发光元件及其制造方法、发光性化合物及其制造方法、组合物及其制造方法、信息处理方法、信息处理装置、计算机程序产品、发光性化合物的提供方法以及数据生成方法


技术介绍

1、以有机化合物或有机金属配合物作为发光物质的发光元件(有机el组件)正朝实用化发展。有机el组件是将含有发光材料的有机化合物层夹入一对电极间并施加电压,由此,从电极所注入的电子及空穴会再结合而使发光物质成为激发状态,在该激发状态返回基态时发光。由于发光特性会随着发光元件所使用的发光物质的不同而有所不同,所以关于具有良好的发光特性的发光物质的研究开发亦正在进行。

2、近年来,在进行新物质或替代物质的研究开发时,有人提出一种使用统计分析等信息处理技术来有效地进行材料开发的材料信息学(mi:materials informatics)技术(例如专利文献1)。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2019-87107号公报


技术实现思路

1、为了使用mi技术来探索可满足期望本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光元件,其具有阳极、阴极以及设置在所述阳极与所述阴极之间的发光层,

2.根据权利要求1所述的发光元件,所述发光性化合物进一步满足:通过mordred计算所得的分子描述符的nB为0以上2以下,AATSC3s为-0.2以上0.5以下,C3SP2为0以上30以下,AETA_beta_s为0.5以上1.0以下,SlogP_VSA5为0以上400以下,n5aRing为0以上10以下,n6ARing为0以上10以下,nARing为0以上10以下,AXp-3d为0.10以上0.20以下,SaasC为0以上40以下,以及Vabc为100以上2000以下。

3.根据权利要...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种发光元件,其具有阳极、阴极以及设置在所述阳极与所述阴极之间的发光层,

2.根据权利要求1所述的发光元件,所述发光性化合物进一步满足:通过mordred计算所得的分子描述符的nb为0以上2以下,aatsc3s为-0.2以上0.5以下,c3sp2为0以上30以下,aeta_beta_s为0.5以上1.0以下,slogp_vsa5为0以上400以下,n5aring为0以上10以下,n6aring为0以上10以下,naring为0以上10以下,axp-3d为0.10以上0.20以下,saasc为0以上40以下,以及vabc为100以上2000以下。

3.根据权利要求1或2所述的发光元件,所述发光层进一步含有选自由空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂所组成的群组中的至少1种。

4.一种发光性化合物,其满足:通过mordred计算所得的分子描述符的spdiam_a为5.0以上,aatsc2c为0.003以下,mats5s为0.17以下,gats6c为0.6以上,以及aeta_beta为1.6以下。

5.根据权利要求4所述的发光性化合物,其进一步满足:通过mordred计算所得的分子描述符的nb为0以上2以下,aatsc3s为-0.2以上0.5以下,c3sp2为0以上30以下,aeta_beta_s为0.5以上1.0以下,slogp_vsa5为0以上400以下,n5aring为0以上10以下,n6aring为0以上10以下,naring为0以上10以下,axp-3d为0.10以上0.20以下,saasc为0以上40以下,以及vabc为100以上2000以下。

6.一种组合物,其含有权利要求4或5所述的发光性化合物,以及

7.一种发光性化合物的制造方法,其包含:准备多个化合物的准备工序,以及

8.一种发光性化合物的制造方法,其包含:准备多个化合物的准备工序,以及

9.一种组合物的制造方法,其包含:

10.一种发光元件的制造方法,该发光元件具有阳极、阴极以及设置在所述阳极与所述阴极之间的发光层;

11.一种信息处理方法,其取得多个候选化合物的通过量子化学计算所得的光谱指标,

12.根据权利要求11所述的信息处理方法,基于所述光谱指标及存储有已知化合物的数据库,将所述各化合物分类为:所述光谱指标满足预定条件且未被存储为已知化合物的群组、所述光谱指标满足预定条件且被存储为已知化合物的群组以及所述光谱指标未满足预定条件的群组,

13.根据权利要求11或12所述的信息处理方法,其取得所述各化合物的每个分子描述符的值,

14.根据权利要求11至13中任一项所述的信息处理方法,其取得所述各化合物的每个分子描述符的值,

15.根据权利要求13或14所述的信息处理方法,其提取:满足所确定的所述分子描述符的组合及各分子描述符的值的范围的发光性化合物。

16.根据权利要求13至15中任一项所述的信息处理方法,根据依每个群组映射多个分子描述符的组合值而得的映射数据,确定所述分子描述符的组合及各分子描述符的值的范围。

17.根据权利要求13至16中任一项所述的信息处理方法,其输出:依每个群组映射多个分子描述符的组合值而得的映射数据,以及所确定的各分子描述符的值的范围。

18.根据权利要求13至17中任一项所述的信息处理方法,其输出:所确定的多个分子描述符,以及各分子描述符的值的范围。

19.根据权利要求13至18中任一项所述的信息处理方法,其提取所述分子描述符的组合及各分子描述符的值的范围满足下列条件的发光性化合物:通过mordred计算所得的分子描述符的spdiam_a为5.0以上,aatsc2c为0.003以下,mats5s为0.17以下,gats6c为0.6以上,以及aeta_beta为1.6以下。

20.根据权利要求19所述的信息处理方法,其提取所述分子描述符的组合及各分子描述符的值的范围进一步满足下列条件的发光性化合物:通过mordred计算所得的分子描述符的nb为0以上2以下,aatsc3s为-0.2以上0.5以下,c3sp2为0以上30以下,aeta_beta_s为0.5以上1.0以下,slogp_vsa5为0以上400以下,n5aring为0以上10以下,n6aring为0以上10以下,naring为0以上10以下,axp-3d为0.10以上0.20以下,saasc为0以上40以下,以及vabc为100以上2000以下。

21.根据权利要求13至20中任一项所述的信息...

【专利技术属性】
技术研发人员:板东晃德斋藤孝和石飞昌光西田理彦吉冈谦
申请(专利权)人:住友化学株式会社
类型:发明
国别省市:

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