【技术实现步骤摘要】
本公开的示例涉及一种具有晶体管基元的碳化硅装置，特别地涉及一种半导体装置，所述半导体装置具有绝缘栅晶体管基元以及晶体管基元的栅电极和源电极之间的箝位器。
技术介绍
1、在用于变换电能的电路中(例如，在dc/ac转换器、ac/ac转换器或ac/dc转换器中)并且在驱动重电感性负载的电路中(例如，在电机驱动器电路中)，功率半导体装置通常被用作开关和整流器。由于与硅(si)相比碳化硅(sic)的介电击穿场强度高，所以与其硅对应部分相比，sic功率装置可显著更薄并且可示出更低的接通状态电阻。集成保护元件和/或保护电路能够增加装置可靠性。例如，过电压事件(诸如，静电放电事件)可引起装置的失灵。
技术实现思路
1、根据实施例，一种碳化硅装置可包括晶体管基元。晶体管基元可包括栅电极和源极区。碳化硅装置还可包括：第一导电型的第一箝位区，按照电气方式与栅电极连接；和第一导电型的第二箝位区，按照电气方式与源极区连接。碳化硅装置还可包括：第二导电型的阱区，沿侧向包围第一箝位区和第二箝位区中的每一个。第一箝位区和...
【技术保护点】
1.一种碳化硅装置(500)，包括：
2.如权利要求1所述的碳化硅装置(500)，
3.如权利要求1或2所述的碳化硅装置(500)，
4.如前面权利要求中任一项所述的碳化硅装置(500)，
5.如前面权利要求中任一项所述的碳化硅装置(500)，
6.如前面权利要求中任一项所述的碳化硅装置(500)，还包括下面的至少一个：
7.如权利要求1至5中任一项所述的碳化硅装置(500)，还包括:
8.如权利要求1至5或7中任一项所述的碳化硅装置(500)，还包括:
9.如权利要求1至...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅装置(500)，包括：
2.如权利要求1所述的碳化硅装置(500)，
3.如权利要求1或2所述的碳化硅装置(500)，
4.如前面权利要求中任一项所述的碳化硅装置(500)，
5.如前面权利要求中任一项所述的碳化硅装置(500)，
6.如前面权利要求中任一项所述的碳化硅装置(500)，还包括下面的至少一个：
7.如权利要求1至5中任一项所述的碳化硅装置(500)，还包括:
8.如权利要求1至5或7中任一项所述的碳...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·韦耶斯，W·A·T·詹森，B·布鲁纳，T·R·西米尼克，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。