形成图案的方法技术

提供一种形成图案的方法，所述方法包括：在衬底上涂布含金属的抗蚀剂组合物以形成抗蚀剂层；沿着衬底的边缘涂布用于移除边缘珠粒的组合物；实行干燥和热处理；以及进行曝光和显影以形成抗蚀剂图案，其中在涂布用于移除边缘珠粒的组合物之后，在从衬底的边缘朝向衬底的中心约1mm到约30mm的区域中，抗蚀剂层的最大隆起高度小于或等于约300nm。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例涉及一种形成图案的方法，所述方法包括涂布用于移除边缘珠粒的组合物以减少沿晶片边缘出现的金属污染。

技术介绍

1、近年来，半导体工业已见证了临界尺寸(critical dimension)的实质上不断减小，且此种尺寸上的减小将受益于新类型或新种类的高性能光刻胶材料和图案化方法，所述高性能光刻胶材料和图案化方法满足对具有越来越小的特征的处理和图案化的需求。

2、随着近来半导体工业的快速发展，半导体装置将受益于相对快的操作速度和大的存储容量，且根据此种要求，正在开发用于改善半导体装置的集成度(integration)、可靠性和响应速度的工艺技术。举例来说，在硅衬底的工作区(working region)中准确地控制/植入杂质并对这些区进行互连以形成装置和超高密度集成电路将为有利的，此可通过光刻工艺(photolithographic process)来实现。举例来说，对包括以下操作的光刻工艺进行整合将为有利的：在衬底上涂布光刻胶，将所述光刻胶选择性地暴露于紫外线(ultraviolet，uv)(包括极紫外线(extreme ultrav本文档来自技高网...

【技术保护点】

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【技术特征摘要】

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【专利技术属性】
技术研发人员：朴庆熏，文炯朗，朴时均，郭泽秀，宋明洙，李东炯，范泰源，宋东训，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：