半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统制造方法及图纸

提供了一种半导体装置和一种数据存储系统。半导体装置包括：第一半导体结构，其包括衬底、衬底上的电路和电连接到电路的下互连结构；以及第二半导体结构，其包括：板层，其位于第一半导体结构上；在垂直于板层的上表面的第一方向上交替地堆叠在板层上的栅电极和层间绝缘层；沟道结构，其穿过栅电极并且在第一方向上延伸；以及上电容器结构，其包括层间绝缘层上的上栅电极和在第一方向上延伸穿过上栅电极的上接触结构。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。

技术介绍

1、在数据存储系统中，可能需要用于存储高容量数据的半导体装置。因此，正在研究用于增大半导体装置的数据存储容量的方法。例如，作为用于增大半导体装置的数据存储容量的方法，已经提出了包括三维布置的存储器单元而不是二维布置的存储器单元的半导体装置。

技术实现思路

1、一个或多个示例实施例提供具有改善的电特性和可靠性的半导体装置。

2、一个或多个示例实施例提供包括具有改善的电特性和可靠性的半导体装置的数据存储系统。

3、根据示例实施例的一方面，半导体装置包括：第一半导体结构，其包括衬底、衬底上的电路和电连接到电路的下互连结构；以及第二半导体结构，其包括：板层，其位于第一半导体结构上；栅电极和层间绝缘层，栅电极和层间绝缘层在垂直于板层的上表面的第一方向上交替地堆叠在板层上；沟道结构，其穿过栅电极并且在第一方向上延伸；以及上电容器结构，其包括位于层间绝缘层上的上栅电极和在第一方向上延伸穿过上栅电极的上接触结构。上接触结构包括上接触插塞本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括下电容器结构，所述下电容器结构包括所述板层和穿过所述板层的下接触结构，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述上接触绝缘层包括具有彼此不同的厚度的多个所述上接触绝缘层，并且

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述上接触插塞是具有彼此不同的宽度的多个上接触插塞中的一个，并且

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述上接触插塞与所述下接触插塞电绝缘，并且

6.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括将所述上接触插塞和所述下接触插塞电连接的外围接...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括下电容器结构，所述下电容器结构包括所述板层和穿过所述板层的下接触结构，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述上接触绝缘层包括具有彼此不同的厚度的多个所述上接触绝缘层，并且

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述上接触插塞是具有彼此不同的宽度的多个上接触插塞中的一个，并且

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述上接触插塞与所述下接触插塞电绝缘，并且

6.根据权利要求2所述的半导体装置，还包括将所述上接触插塞和所述下接触插塞电连接的外围接触插塞，

7.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括位于所述上栅电极上并且电连接到所述上接触插塞的上互连结构，

8.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括位于所述板层下方并且电连接到所述下接触插塞的第二下互连结构，

9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括下电容器结构，所述下电容器结构包括与所述栅电极和所述层间绝缘层间隔开并且从所述上接触结构穿过所述板层的外围接触插塞、以及穿过所述板层并且围绕所述外围接...

【专利技术属性】
技术研发人员：权容奭，柳载德，任琫淳，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：