发光器件制造技术

根据本公开的实施例的发光器件包括：第一导电层（10），其为第一导电类型；第一高电阻部分（51），其设置在第一导电层（10）中并且包括第一原子；第二导电层（20），其为第二导电类型；第二高电阻部分（52），其设置在第二导电层（20）中并且包括第二原子；以及有源层（30），其设置在第一导电层（10）和第二导电层（20）之间。第一高电阻部分（51）内部的第一原子的浓度大于第一导电层（10）的第一表面（11S1）中的第一原子的浓度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及一种发光器件。

技术介绍

1、已经提出了一种发光元件，其在n型包覆层和p型包覆层的上方和下方分别设置有具有高电阻的电流限制层（ptl 1）。

2、引文列表

3、专利文献

4、ptl 1：日本未审查专利申请公开（pct申请的公开日文翻译）no.jp 2001-223384

技术实现思路

1、需要发光器件高效地发光。

2、期望提供一种被构造成高效地发光的发光器件。

3、根据本公开的实施例的发光器件包括：第一导电层，其为第一导电类型；第一高电阻部分，其设置在第一导电层中并且包括第一原子；第二导电层，其为第二导电类型；第二高电阻部分，其设置在第二导电层中并且包括第二原子；以及有源层，其设置在第一导电层和第二导电层之间。第一高电阻部分内部的第一原子的浓度大于第一导电层的第一表面中的第一原子的浓度。

【技术保护点】

1.一种发光器件，包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中有源层的表面中的第一原子的浓度等于或大于1x1014 atm/cm3。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中第二高电阻部分内部的第二原子的浓度大于第二导电层的第三表面中的第二原子的浓度。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中

8.根据权利要求6所述的发光器件，其中

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中第一原...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种发光器件，包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中有源层的表面中的第一原子的浓度等于或大于1x1014 atm/cm3。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中第二高电阻部分内部的第二原子的浓度大于第二导电层的第三表面中的第二原子的浓度。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中

8.根据权利要求6所述的发光器件，其中

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中第一原子和第二原子各自为氢原子、氦原子或硼原子。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中第一原子和第二原子是彼此不同类型的原子。

11....

【专利技术属性】
技术研发人员：平尾直树，
申请(专利权)人：索尼集团公司，
类型：发明
国别省市：