【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种微型发光芯片、制备方法以及显示面板。
技术介绍
1、现代社会已经进入信息化并向智能化方向发展，显示是实现信息交换和智能化的关键环节。在目前众多显示技术中，微型发光单元显示技术例如是微发光二极管显示器(micro light emitting diode display，micro led)显示技术被认为是具有颠覆性的下一代显示技术，并受到了广泛关注。micro-led显示芯片是在单个芯片上集成高密度的像素发光单元的二维阵列显示器件。
2、micro-led显示芯片因具有尺寸小、寿命长、响应速度快以及功耗低等优点，而被广泛认为是终极显示。但当前阻碍micro led走向产业化进程上仍然存在一些问题。对于薄膜晶体管(tft)直显显示技术，tft驱动背板的驱动电流很小，只有na级别。但是micro led存在小电流密度工作发光效率非常低。这就导致micro led显示屏在性能上和有机发光二极管(oled)显示屏存在一定差异，导致显示效果较差且功耗较大。
技术实现思路b>
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【技术保护点】
1.一种微型发光芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光芯片，其特征在于，所述插接槽的侧壁设置有键合层。
3.根据权利要求2所述的微型发光芯片，其特征在于，所述键合层为导电键合层。
4.根据权利要求1所述的微型发光芯片，其特征在于，所述插接槽的侧壁为倾斜侧壁或者垂直侧壁。
5.根据权利要求4所述的微型发光芯片，其特征在于，相邻两个微型发光单元的插接槽的侧壁的倾斜斜率相等。
6.根据权利要求1所述的微型发光芯片，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的微型发光芯片，其特征在于，所述微...
【技术特征摘要】
1.一种微型发光芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光芯片，其特征在于，所述插接槽的侧壁设置有键合层。
3.根据权利要求2所述的微型发光芯片，其特征在于，所述键合层为导电键合层。
4.根据权利要求1所述的微型发光芯片，其特征在于，所述插接槽的侧壁为倾斜侧壁或者垂直侧壁。
5.根据权利要求4所述的微型发光芯片，其特征在于，相邻两个微型发光单元的插接槽的侧壁的倾斜斜率相等。
6.根据权利要求1所述的微型发光芯片，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的微型发光芯片，其特征在于，所述微型发光芯片还包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：西湖烟山科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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