一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器及使用方法技术

本发明专利技术涉及一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器及使用方法，包括：陶瓷，所述陶瓷插设于真空管道内，且陶瓷两端与真空管道钎焊连接；安装法兰，中部设置有匹配真空管道外壁的孔洞，用于对真空管道进行固定；安装法兰的内壁和真空管道外壁之间形成有围绕孔洞的器件腔，且器件腔内设置有磁环；磁环的相对两侧分别缠绕有感应线圈绕组和校准线圈绕组，且感应线圈绕组的线圈两端分别与输出端口馈通连接；校准线圈绕组的线圈两端分别与安装法兰外壳及校准端口馈通连接；磁屏蔽层设置在感应线圈绕组和校准线圈绕组外部。本发明专利技术可以广泛应用于加速器束流诊断领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器及使用方法，属于加速器束流诊断领域。

技术介绍

1、束流流强是各类型加速器运行的最核心参数，束流流强的绝对准确测量也是首要的束测任务，在加速器调试、验收以及运行阶段起着不可或缺的作用。

2、目前，通常使用拦截式法拉第筒作为绝对流强测量工具，但法拉第筒有其使用缺陷，如：只能用于低能弱束流流强测量，因为能量越高质量越大的重离子（如：238u46+束，15.5 mev/u）被法拉第筒拦截时，产生的二次电子能量高达数kev以上，难以被法拉第筒通常所用的偏压所抑制而逃逸，导致无法对流强准确测量，而更高能量的束流会穿透法拉第筒更无法进行束流测量；此外对强流高功率机器，法拉第筒极易因高功率或热沉积而损坏。

技术实现思路

1、针对上述问题，本专利技术的目的是提供一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器及使用方法，该传感器探头拥有足够宽的带宽，以及工作带宽内足够优越的线性度，可以对束流交流流强进行绝对准确测量。

2、为实现上述目的，本专利技术采取以下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器，其特征在于，所述陶瓷的半径尺寸与所述真空管道内径相匹配。

3.如权利要求1所述的一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器，其特征在于，所述磁环采用7～10nm纳米晶带材料制作。

4.如权利要求1所述的一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器，其特征在于，所述感应线圈绕组和校准线圈绕组均采用直径0.3～1.0mm的聚酯亚胺类材料纯铜漆包线绕制。

5.如权利要求1所述的一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器，其特征...

【技术特征摘要】

1.一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器，其特征在于，所述陶瓷的半径尺寸与所述真空管道内径相匹配。

3.如权利要求1所述的一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器，其特征在于，所述磁环采用7～10nm纳米晶带材料制作。

4.如权利要求1所述的一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器，其特征在于，所述感应线圈绕组和校准线圈绕组均采用直径0.3～1.0mm的聚酯亚胺类材料纯铜漆包线绕制。

5.如权利要求1所述的一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测器，其特征在于，所述磁屏蔽层采用坡莫合金材质制作，厚度1～3mm。

6.如权利要求1所述的一种带自校准的非拦截式交流流强测量探测...

【专利技术属性】
技术研发人员：何珮琳，夏佳文，武军霞，杜泽，张雍，
申请(专利权)人：中国科学院近代物理研究所，
类型：发明
国别省市：