【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电领域，尤其涉及一种深紫外led器件。
技术介绍
1、在紫外线中，波长在200纳米至350纳米的光线被称为深紫外线。而深紫外led（发光二极管）器件因其高效、环保、节能、可靠等优势，在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大的应用价值，这些优势是普通的紫外发光二极管所无法比拟的。
2、目前在深紫外发光二极管中，空穴注入层目前通常为p型掺杂的algan外延层，由于algan材料中受主能级通常较深，使得p型algan材料具有高电阻性，而且不适合p型欧姆接触形成。因此，p型algan材料的顶部通常需要生长p型欧姆接触层，用以与芯片电极形成欧姆接触。然而，现有的p型欧姆接触层一般采用mg掺杂的gan材料，而gan的禁带宽度小于深紫外线的光子能量，由量子阱发射的深紫外线部分会被gan材料吸收，造成光功率损失。
3、因此，亟需一种深紫外led器件以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供一种深紫外led器件，用于改善现有技术的深紫外发光二极管的光输出功率较低的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种深紫外led器件，包括沿生长方向依次层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层；
3、其中，第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层均为algan材料，第一欧姆接触层的al组分含量不低于35
4、优选地，第一欧姆接触层为单层algan结构，第一欧姆接触层的厚度为0.1nm~20nm。
5、优选地，第一欧姆接触层与空穴注入层相接触的界面处的al组分含量为a，第一欧姆接触层与第二欧姆接触层相接触的界面处的al组分含量为b；
6、其中，a与b之间满足以下关系：a＞b；40%≤a≤90%；35%≤a≤50%。
7、优选地，第一欧姆接触层为多个第一子层和多个第二子层交替形成的周期结构，至少一层第一子层与空穴注入层相接触，第一子层为alxga1-xn材料，第二子层为alyga1-yn材料，35%≤y≤x＜100%。
8、其中，第一子层的厚度为0.1~5nm，第二子层的厚度为0.2~10nm，周期结构的周期数为2~10。
9、优选地，第一欧姆接触层为整层mg掺杂的algan结构，第一欧姆接触层的掺杂浓度为5e18~1e20cm-3。
10、优选地，第二欧姆接触层的al组分含量大于0且小于或等于50%。
11、优选地，第二欧姆接触层为整层mg掺杂的algan结构，掺杂浓度为1e18~1e20cm-3；第二欧姆接触层的厚度为第一欧姆接触层厚度的10~50%。
12、优选地，第二欧姆接触层为整层si掺杂的algan结构，掺杂浓度为1e17~1e19cm-3；第二欧姆接触层的厚度为第一欧姆接触层厚度的5~25%。
13、优选地，第二欧姆接触层为整层非故意掺杂的algan结构，掺杂浓度为1e17~1e19cm-3；第二欧姆接触层的厚度为第一欧姆接触层厚度的1~20%。
14、优选地，第一欧姆接触层的生长温度为t1，第二欧姆接触层的生长温度为t2；
15、其中，t1和t2之间满足以下关系：650℃≤t2≤t1≤950℃。
16、本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供了一种深紫外led器件，包括沿生长方向依次层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层，其中，第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层均为algan材料，第一欧姆接触层的al组分含量不低于35%，第二欧姆接触层的al组分含量小于或等于第一欧姆接触层的al组分含量；本专利技术通过选用algan材料作为深紫外led器件的欧姆接触结构，其中靠近空穴注入层一侧的第一欧姆接触层的al组分含量不低于35%，较高al组分的algan材料可以有效防止对来自于量子阱发光层发射的深紫外线的吸收，进而避免造成光损失，同时靠近p型电极一侧的第二欧姆接触层的al组分含量小于或等于第一欧姆接触层的al组分含量，可以确保与p型电极形成较好的欧姆接触，进而最终提高了深紫外led的发光效率。
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1.一种深紫外LED器件，其特征在于，包括沿生长方向依次层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层；
2.根据权利要求1所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述第一欧姆接触层为单层AlGaN结构，所述第一欧姆接触层的厚度为0.1nm~20nm。
3.根据权利要求2所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述第一欧姆接触层与所述空穴注入层相接触的界面处的Al组分含量为a，所述第一欧姆接触层与所述第二欧姆接触层相接触的界面处的Al组分含量为b；
4.根据权利要求1所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述第一欧姆接触层为多个第一子层和多个第二子层交替形成的周期结构，至少一层所述第一子层与所述空穴注入层相接触，所述第一子层为AlxGa1-xN材料，所述第二子层为AlyGa1-yN材料，35%≤y≤x＜100%。
5.根据权利要求2~4任意一项所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述第一欧姆接触层为整层Mg掺杂的AlGaN结构，所述第一欧姆接触层的掺杂浓度为5E18~1E
6.根据权利要求1所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述第二欧姆接触层的Al组分含量大于0且小于或等于50%。
7.根据权利要求6所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述第二欧姆接触层为整层Mg掺杂的AlGaN结构，掺杂浓度为1E18~1E20cm-3；所述第二欧姆接触层的厚度为所述第一欧姆接触层厚度的10~50%。
8.根据权利要求6所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述第二欧姆接触层为整层Si掺杂的AlGaN结构，掺杂浓度为1E17~1E19cm-3；所述第二欧姆接触层的厚度为所述第一欧姆接触层厚度的5~25%。
9.根据权利要求6所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述第二欧姆接触层为整层非故意掺杂的AlGaN结构，掺杂浓度为1E17~1E19cm-3；所述第二欧姆接触层的厚度为所述第一欧姆接触层厚度的1~20%。
10.根据权利要求1所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述第一欧姆接触层的生长温度为T1，所述第二欧姆接触层的生长温度为T2；
...【技术特征摘要】
1.一种深紫外led器件，其特征在于，包括沿生长方向依次层叠设置的衬底、本征层、电子注入层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、空穴注入层、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层；
2.根据权利要求1所述的深紫外led器件，其特征在于，所述第一欧姆接触层为单层algan结构，所述第一欧姆接触层的厚度为0.1nm~20nm。
3.根据权利要求2所述的深紫外led器件，其特征在于，所述第一欧姆接触层与所述空穴注入层相接触的界面处的al组分含量为a，所述第一欧姆接触层与所述第二欧姆接触层相接触的界面处的al组分含量为b；
4.根据权利要求1所述的深紫外led器件，其特征在于，所述第一欧姆接触层为多个第一子层和多个第二子层交替形成的周期结构，至少一层所述第一子层与所述空穴注入层相接触，所述第一子层为alxga1-xn材料，所述第二子层为alyga1-yn材料，35%≤y≤x＜100%。
5.根据权利要求2~4任意一项所述的深紫外led器件，其特征在于，所述第一欧姆接触层为整层mg掺杂的algan结构，所述第一欧姆接触层...
【专利技术属性】
技术研发人员：张骏，陈圣昌，岳金顺，陈长清，戴江南，
申请(专利权)人：武汉优炜芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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