一种压接型半导体器件的老化检测方法及装置制造方法及图纸

技术编号:43429856 阅读:19 留言:0更新日期:2024-11-27 12:40
本申请提供了一种压接型半导体器件的老化检测方法及装置,该方法包括:获取实际工况中测量的多个螺线管线圈的实际感应电压;所述多个螺线管线圈分别设置在第一压接型半导体器件的侧面上,且与驱动控制端口位于不同区域;所述实际感应电压是当电流从所述第一压接型半导体器件的顶面流向底面时生成的;根据所述多个螺线管线圈的实际感应电压之间的最大差值及预先生成的老化曲线确定所述第一压接型半导体器件的老化状态。本申请提供的压接型半导体器件的老化检测方法及装置实现了分析器件内部电流分布情况以评估器件的老化状态,确保半导体器件的可靠性和稳定性,提高老化检测的效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件可靠性测试,尤其涉及一种压接型半导体器件的老化检测方法及装置


技术介绍

1、柔性直流输电技术是构建新型电力系统的核心技术手段,高压大功率压接型igbt是柔直换流阀核心装备,是柔直换流阀最易失效的元件。igbt状态监测能过监测器件老化过程中状态量漂移来评估器件健康状态,为器件失效预警及运维保障提供基础。现代设备管理体系和数字电网建设也对设备运行信息监控提出了更高的要求,设备的状态感知和智能运维是设备数字化、智能化建设的重要手段。

2、压接型igbt失效老化过程伴随着器件内部并联芯片不均流程度加剧,导致局部芯片热应力增大从而加速芯片老化进程。因此,压接型igbt器件电流分布情况也可以反映器件健康状态,是器件状态监测所需的重要特征量。

3、现有技术中,对于压接型igbt器件的老化检测是测量器件外部的总电流,如需测量器件内部电流分布状态,则会把器件封装破坏,这是不被允许的。


技术实现思路

1、针对现有技术中的问题,本申请实施例提供一种压接型半导体器件的老化检测方法及装置,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种压接型半导体器件的老化检测方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的压接型半导体器件的老化检测方法,其特征在于,预先生成老化曲线的步骤包括:

3.根据权利要求1所述的压接型半导体器件的老化检测方法,其特征在于,预先生成老化曲线的步骤包括:

4.根据权利要求1所述的压接型半导体器件的老化检测方法,其特征在于,所述根据所述多个螺线管线圈的实际感应电压的最大差值及预先生成的老化曲线确定所述第一压接型半导体器件的老化状态,包括:

5.一种压接型半导体器件的老化检测装置,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的压接型半...

【技术特征摘要】

1.一种压接型半导体器件的老化检测方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的压接型半导体器件的老化检测方法,其特征在于,预先生成老化曲线的步骤包括:

3.根据权利要求1所述的压接型半导体器件的老化检测方法,其特征在于,预先生成老化曲线的步骤包括:

4.根据权利要求1所述的压接型半导体器件的老化检测方法,其特征在于,所述根据所述多个螺线管线圈的实际感应电压的最大差值及预先生成的老化曲线确定所述第一压接型半导体器件的老化状态,包括:

5.一种压接型半导体器件的老化检测装置,其特征在于,包括:

6.根据权利要求5所述的压接型半导体器件的老化检测装置,其特征在于,还包括:

7.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:袁茜季一润袁文迁槐青高岩峰卢毅李雨宋鹏谢丽芳宁琳如
申请(专利权)人:华北电力科学研究院有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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