在具有沟的基板上制造氮化硅质膜的方法技术

一种在具有沟的基板上制造氮化硅质膜的方法，其包括以下工序：(a)在具有沟的基板上施用氮化硅质组合物，以形成组合物层；(b)对该组合物层照射波长200～229nm的光；以及(c)在非氧化气氛中加热该基板；其中该氮化硅质膜对波长633nm的光的折射率为1.70～2.40。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及在具有沟的基板上制造氮化硅质膜的方法。

技术介绍

1、氮化硅膜在电子器件、特别是半导体器件的制造中，通常被用作电介质膜或牺牲膜。历来氮化硅质膜是由cvd(化学气相沉积)法或ald(原子层沉积)法形成的。

2、在电子器件的领域中，器件规格正逐渐精细化，而需要在更精细的沟结构中形成氮化硅膜。随着精细化的推进，在形成膜时产生的缺陷变多，而产生电子器件的制造效率降低的问题。特别是成膜时接缝缺陷(以下称为接缝)或孔隙缺陷的产生成为问题。

3、因此，提案使用包含含硅聚合物的液体组合物来形成氮化硅膜。例如提案有一种形成氮化硅应力层的方法，其是使用含有聚硅氮烷的液体组合物来填埋沟，再通过在氮气气氛下在高温下加热来形成(专利文献1)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：us2009/0289284 a1

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题

2、本专利技术人对于在具有沟的基板上制造氮化硅质膜的方法，认为还存在一个以上需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在具有沟的基板上制造氮化硅质膜的方法，其包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该沟的深度为150～500nm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，该氮化硅质组合物包含从聚硅氮烷、聚碳硅氮烷及它们的混合物中选出的含硅聚合物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，该含硅聚合物的质均分子量为1,000～30,000。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其中，该氮化硅质组合物进一步包含溶剂。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，以该氮化硅质组合物的总量为基准，该含硅聚合物的含量为0.1～40质量％。<...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种在具有沟的基板上制造氮化硅质膜的方法，其包括以下工序：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该沟的深度为150～500nm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，该氮化硅质组合物包含从聚硅氮烷、聚碳硅氮烷及它们的混合物中选出的含硅聚合物。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，该含硅聚合物的质均分子量为1,000～30,000。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的方法，其中，该氮化硅质组合物进一步包含溶剂。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，以该氮化硅质组合物的总量为基准，该含硅聚合物的含量为0.1～40质量％...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井一成，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：