一种DTMOS结构低噪声新型运算放大器制造技术

技术编号:43424904 阅读:13 留言:0更新日期:2024-11-27 12:37
一种DTMOS结构低噪声低功耗的新型运算放大器,包括两个输入端,其中第一输入端连接第七P管、第九P管、第九N管和第十一N管的栅极,第二输入端连接第八P管、第十P管、第十N管和第十二N管的栅极;第七P管和第八P管的源极与第九P管和第十P管的漏极接在一起;其中第七至第十P管、第九至第十二N管均为DTMOS;还包括连接在差动对管和运算放大器输出端之间的输出级电路;所述运算放大器还包括偏置电路,所述偏置电路为运算放大器提供偏置电流和偏置电压。本发明专利技术运用DTMOS晶体管可以在低电源电压情况下实现低噪声;负载级有别于传统折叠共源共栅接法,把NMOS负载源端与地之间采用源极退化接法,有效降低了噪声。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于模拟电路,涉及运算放大器电路,具体涉及一种dtmos结构低噪声新型运算放大器。


技术介绍

1、模拟集成电路对物理世界的信号处理起着不可替代的重要作用,而运算放大器作为模拟集成电路最基本模块,其设计与研究是模拟集成电路设计中的最重要工作之一。早期运放多采用双极工艺制作,随着半导体制程的进步,mos管沟道长度越来越小,电源电压也越来越低,电源降低信号范围降低,导致其信噪比降低。为了保证一定的信噪比,则必须降低噪声,因此低噪声运放设计是一个趋势。

2、对于低噪声运算放大器设计,多是使用增大输入对管面积,增大输入对管电流来实现,但是随着工艺日渐发达,电源电压越发降低,低噪声运放的传统设计存在如下问题:

3、传统低噪声运算放大器设计牺牲了功耗性能,导致运算放大器功耗增大;传统低噪声运算放大器设计牺牲了面积,导致芯片面积很大,在集成度日渐发达的今天已经不太适用;传统低噪声运算放大器设计多是3.3v电源以上,在1v电源以下时由于mos管的阈值电压不随着器件尺寸减小而成比例的减小,会使mos管静态工作点的可靠性变低


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【技术保护点】

1.一种DTMOS结构低噪声低功耗的新型运算放大器,包括两个输入端,其特征在于,其中第一输入端连接第七P管、第九P管、第九N管和第十一N管的栅极,第二输入端连接第八P管、第十P管、第十N管和第十二N管的栅极,第九P管和第十P管的源极相接,第九N管和第十N管的源极相接;第七P管和第八P管的源极与第九P管和第十P管的漏极接在一起,第十一N管和第十二N管的源极与第九N管和第十N管的漏极接在一起;

2.如权利要求1所述的DTMOS结构低噪声低功耗的新型运算放大器,其特征在于,所述输出级电路包括栅极互联的第十一P管和第十三P管,第十一P管和第十三P管的源极连接电源,漏极分别连接第十二P...

【技术特征摘要】

1.一种dtmos结构低噪声低功耗的新型运算放大器,包括两个输入端,其特征在于,其中第一输入端连接第七p管、第九p管、第九n管和第十一n管的栅极,第二输入端连接第八p管、第十p管、第十n管和第十二n管的栅极,第九p管和第十p管的源极相接,第九n管和第十n管的源极相接;第七p管和第八p管的源极与第九p管和第十p管的漏极接在一起,第十一n管和第十二n管的源极与第九n管和第十n管的漏极接在一起;

2.如权利要求1所述的dtmos结构低噪声低功耗的新型运算放大器,其特征在于,所述输出级电路包括栅极互联的第十一p管和第十三p管,第十一p管和第十三p管的源极连接电源,漏极分别连接第十二p管和第十四p管的漏极,第十二p管和第十四p管的栅极互联,漏极分别连接第十四n管和第十六n管的漏极,第十四n管和第十六n管的栅极互联,第十四n管和第十六n管的源极分别连接第十五n管和第十七n管的漏极,第十五n管和第十七n管的栅极互联并连接第十四n管的漏极,...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡兴微蒋玉东王霖雷婷婷
申请(专利权)人:四川锦龙微电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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