一种多晶硅冷氢化产品分离系统和方法技术方案

本发明专利技术提供一种多晶硅冷氢化产品分离系统和方法。多晶硅冷氢化产品的分离系统，包括粗分塔、四氯化硅缓冲罐以及气相平衡管；所述粗分塔具有侧采口以及气相平衡口，所述气相平衡口与所述侧采口之间的塔板数相差0‑2；所述侧采口与所述四氯化硅缓冲罐连通，所述气相平衡口与所述四氯化硅缓冲罐通过所述气相平衡管连通。该分离系统可以降低氢气和四氯化硅的消耗和排放，具有优异的经济效益。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多晶硅冷氢化产品分离系统和方法，属于化工分离。

技术介绍

1、改良西门子法是制备高纯多晶硅的方法之一，通过冷氢化将四氯化硅转化为三氯氢硅，实现四氯化硅的综合利用，是由传统西门子法过渡到改良西门子法的重要标志之一。

2、图1为现有技术中多晶硅冷氢化的工艺流程图。如图1所示，目前，冷氢化技术主要是采用催化剂，在温度为400℃～800℃，压力为2mpa～4mpa条件下，使硅粉、氢气与四氯化硅在冷氢化反应器1中反应生成三氯氢硅，其中，反应产物(包括未反应的四氯化硅、未反应的氢气、未反应的硅粉以及反应生成的三氯氢硅)经冷氢化反应器1的底部输出经除尘、洗涤以及冷凝后得到氯硅烷溶液，所得到的氯硅烷溶液进入粗分塔分离后，从粗分塔的塔顶采出三氯氢硅，粗分塔的塔中段具有侧采口，四氯化硅经侧采口采出进入四氯化硅缓冲罐进行储存，以继续参与冷氢化反应。

3、由于侧采口与四氯化硅缓冲罐之间具有压力差，通常情况会向四氯化硅缓冲罐中补充氢气以稳定四氯化硅缓冲罐的压力，然而使用补充氢气稳定四氯化硅化硅缓冲罐的压力容易造成氢气和四氯化硅的消耗和排放。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多晶硅冷氢化产品的分离系统，其特征在于，包括粗分塔、四氯化硅缓冲罐以及气相平衡管；

2.根据权利要求1所述的分离系统，其特征在于，所述粗分塔还包括进料口，所述侧采口以及所述气相平衡口分别位于所述进料口下的第26-46块塔板处。

3.根据权利要求1所述的分离系统，其特征在于，所述侧采口与所述四氯化硅缓冲罐的顶部之间的最小距离为8-30m。

4.根据权利要求1或2所述的分离系统，其特征在于，还包括换热器；

5.根据权利要求1-4任一项所述的分离系统，其特征在于，所述四氯化硅缓冲罐的压力为0.1-0.65MPaG；和/或，

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【技术特征摘要】

1.一种多晶硅冷氢化产品的分离系统，其特征在于，包括粗分塔、四氯化硅缓冲罐以及气相平衡管；

2.根据权利要求1所述的分离系统，其特征在于，所述粗分塔还包括进料口，所述侧采口以及所述气相平衡口分别位于所述进料口下的第26-46块塔板处。

3.根据权利要求1所述的分离系统，其特征在于，所述侧采口与所述四氯化硅缓冲罐的顶部之间的最小距离为8-30m。

4.根据权利要求1或2所述的分离系统，其特征在于，还包括换热器；

5.根据权利要求1-4任一项所述的分离系统，其特征在于，所述四氯化硅缓冲罐的压力为0.1-0.65mpag；和/或，

6.根据权利要求4-5任一项所述的分离系统，其特征在于，所述氯硅烷溶液包括四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅、高沸物、金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚又省，刘继三，何振江，刘明霞，李丹，武晓倩，陈维平，骆彩萍，
申请(专利权)人：华陆工程科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：