【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体晶圆清洗，具体涉及一种半导体晶圆超声波清洗机。
技术介绍
1、在半导体芯片制造领域，随着晶圆尺寸的增大及多层金属互联技术的应用，化学机械平坦化成为一种不可或缺的实现表面全局平坦化的技术，在化学机械平坦化制程中，由于化学反应及抛光液中研磨微粒的存在，必然会引入表面玷污，因此在晶片表面全局平坦化之后必需进行有效清洗，目前，不论是湿式化学清洗还是干法清洗后的碳化硅晶圆，在晶圆表面还是有少量的颗粒无法清除，中国专利公开了一种晶圆的超声波清洗机.(授权公告号cn210546720u)，该专利技术能够通过放置板的自动升降，工作人员无需将手放入清洗试剂中，简化操作过程，但是，该装置中晶圆的清洗效果不全面，晶圆上的附着物不易被剥离，且该装置每次只能对一个晶圆进行清洗，清洗效率低下。因此，本领域技术人员提供了一种半导体晶圆超声波清洗机，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本技术提供一种半导体晶圆超声波清洗机，包括清洗机主体，所述清洗机主体右侧中部设有进水管...
【技术保护点】
1.一种半导体晶圆超声波清洗机，包括清洗机主体(1)，所述清洗机主体(1)右侧中部设有进水管(11)，清洗机主体(1)左侧底部设有出水管(12)，且清洗机主体(1)左侧铰接有防护门(13)，所述进水管(11)左端与清洗机主体(1)内设有的清洗腔(14)贯通连接，所述清洗腔(14)左侧底部与出水管(12)贯通连接，清洗机主体(1)内清洗腔(14)的外围设有工作腔(15)，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆超声波清洗机，其特征在于，所述清洗网篮(2)底部设有漏网板，清洗网篮(2)内均匀间隔设有多个放置槽(21)，且清洗网篮(2)左侧接近顶部的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆超声波清洗机，包括清洗机主体(1)，所述清洗机主体(1)右侧中部设有进水管(11)，清洗机主体(1)左侧底部设有出水管(12)，且清洗机主体(1)左侧铰接有防护门(13)，所述进水管(11)左端与清洗机主体(1)内设有的清洗腔(14)贯通连接，所述清洗腔(14)左侧底部与出水管(12)贯通连接，清洗机主体(1)内清洗腔(14)的外围设有工作腔(15)，其特征在于：
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆超声波清洗机，其特征在于，所述清洗网篮(2)底部设有漏网板，清洗网篮(2)内均匀间隔设有多个放置槽(21)，且清洗网篮(2)左侧接近顶部的位置开设有插孔(22)。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆超声波清洗机，其特征在于，所述抛动架(3)左端固接有连接器(31)，抛动架(3)底部承载板上设有限位槽(32)，且抛动架(3)左侧竖杆上开设有与插孔(22)配合的插槽(33)。
4.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：纪文昌，刘涛，
申请(专利权)人：润斯普瑞超声科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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