【技术实现步骤摘要】
本申请主要涉及光伏，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池。
技术介绍
1、topcon电池采用隧穿层和掺杂多晶硅层共同形成钝化接触，可以有效降低表面复合和金属接触复合。金属接触处厚度较厚的掺杂多晶硅层和非金属接触区厚度较薄的掺杂多晶硅层可以兼顾避免电极与硅衬底接触和降低寄生吸收。在对非金属接触区处的掺杂多晶硅层进行减薄时，如何提高刻蚀均匀性是本领域内的重要研究方向之一。
技术实现思路
1、本申请要解决的技术问题是提供一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池，该太阳能电池的制备方法可以提高对非金属接触区处的掺杂多晶硅层的刻蚀均匀性。
2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种太阳能电池的制备方法，包括：提供硅衬底；在所述硅衬底的正面和/或背面上依次形成隧穿层和掺杂多晶硅层，所述掺杂多晶硅层包括相邻的金属接触区和非金属接触区；在所述掺杂多晶硅层远离所述硅衬底的一面上形成掩膜，所述掩膜覆盖所述金属接触区并暴露出所述非金属接触区；使用激光轰击所述非金属接触区；使用碱性溶液刻蚀经激光轰...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述隧穿层和所述掺杂多晶硅层的步骤包括：
3.如权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述掩膜的方法包括：
4.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光轰击提高了所述非金属接触区的表面粗糙度，并在所述非金属接触区上形成第一氧化硅层。
5.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：在所述掺杂多晶硅层背离所述硅衬底的一面上形成钝化层，所述钝化层包括氧化铝层、氮化硅...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述隧穿层和所述掺杂多晶硅层的步骤包括：
3.如权利要求2所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述掩膜的方法包括：
4.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述激光轰击提高了所述非金属接触区的表面粗糙度，并在所述非金属接触区上形成第一氧化硅层。
5.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括：在所述掺杂多晶硅层背离所述硅衬底的一面上形成钝化层，所述钝化层包括氧化铝层、氮化硅层、氮氧化硅层中的一层或多层。
6.如权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，在形成所述隧穿层...
【专利技术属性】
技术研发人员：周艺，柳伟，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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