【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学机械抛光，尤其涉及一种晶圆研磨控制方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、化学机械抛光(chemical mechanical polishing，cmp)是指通过化学腐蚀与机械研磨的协同配合作用，实现晶圆表面多余材料的高效去除与全局纳米级平坦化。cmp平坦化的晶圆镀膜主要包括金属膜和绝缘膜。对于金属膜镀层的研磨，cmp一般会先采用大研磨率，将其停到比较薄的厚度，然后采用小研磨率，将金属镀层去除干净。因此，需要对研磨终点进行检测，保证金属镀层去除干净。
2、相关技术中，在小研磨率阶段一般采用光学传感器进行终点侦测，通过不同介质层的光学特征判断金属的去除终点，从而停止研磨。但利用传统的光学传感器进行终点检测，容易受到研磨液的干扰，导致终点检测会过早或过晚，进而会影响晶圆后续的结构性能，以及后续的工艺。因此，需要对晶圆的研磨进行准确控制，保证晶圆的结构特性。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种晶圆研磨控制方法、装置、电子设备及存储介质，以对晶圆的...
【技术保护点】
1.一种晶圆研磨控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆研磨控制方法，其特征在于，对于每个第一金属厚度小于预设厚度的区域，确定该区域的金属残留情况，包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆研磨控制方法，其特征在于，在对于每个第一金属厚度小于预设厚度的区域，确定该区域是否为所述晶圆的边缘区域之后，还包括：
4.根据权利要求2所述的晶圆研磨控制方法，其特征在于，根据所述边缘涡流信号，确定所述边缘区域内各个边缘位置是否存在金属残留，包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆研磨控制方法，其特征在于，所述压力控
【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨控制方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆研磨控制方法，其特征在于，对于每个第一金属厚度小于预设厚度的区域，确定该区域的金属残留情况，包括：
3.根据权利要求2所述的晶圆研磨控制方法，其特征在于，在对于每个第一金属厚度小于预设厚度的区域，确定该区域是否为所述晶圆的边缘区域之后，还包括：
4.根据权利要求2所述的晶圆研磨控制方法，其特征在于，根据所述边缘涡流信号，确定所述边缘区域内各个边缘位置是否存在金属残留，包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆研磨控制方法，其特征在于，所述压力控制条件，包括：
6.根据权利要求4所述的晶圆研磨控制方法，其特征在于，根据每个边缘位置对应的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李嘉浪，白琨，何艳红，赵光远，郭泽鑫，周庆亚，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。