【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，尤其涉及一种探测系统及像增强器。
技术介绍
1、ccd、cmos相机常被用来拍摄影像。然而受到效率、噪声的限制，在微弱光环境下，普通相机很难实现有效的成像，这些场景包括：微光夜视，即环境光照很低的场合；微弱发光，如单颗粒发光，单粒子探测、生物自荧光等；高速成像，因为曝光时间很短而导致信号微弱。
2、像增强器是由探测器组成的光信号探测阵列，可以实现光信号的识别与成像，可提供高达103-107的光增益，实现微光环境成像、高速成像、单个粒子探测等微弱信号探测的功能；结合闪烁体用于探测x-ray、带电粒子以及中性粒子等。目前应用最广泛的是紫外像增强器，通过其中的探测器探测紫外光信号，通过电路输出形成图像信号，具有高清晰度、高灵敏度的优点。
3、但是目前常用的像增强器也存在以下缺点：
4、1)功率高。为了将入射光转化而成的电子在微通道板进行倍增，并将电子在荧光屏上再次转化为光子，需要在荧光屏上加5kv-6kv的高压。为像增强器配套的专用高压电源是一种能将低压直流输入转换为像增强器正常工作所...
【技术保护点】
1.一种探测系统，其特征在于，包括：光阴极、荧光屏和雪崩型探测器；入射光子进入光阴极激发出光生电子，直接向荧光屏发射，激发出光子；光子经雪崩型探测器探测，输出电信号。
2.根据权利要求1所述的探测系统，其特征在于，所述雪崩型探测器是由单个或者多个雪崩二极管组成，所述多个雪崩二极管形成线阵或者面阵。
3.根据权利要求2所述的探测系统，其特征在于，所述雪崩二极管尺寸在1000um以下。
4.根据权利要求2所述的探测系统，其特征在于，所述雪崩二极管为线性雪崩二极管或单光子雪崩二极管。
5.如权利要求2所述的探测系统，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种探测系统，其特征在于，包括：光阴极、荧光屏和雪崩型探测器；入射光子进入光阴极激发出光生电子，直接向荧光屏发射，激发出光子；光子经雪崩型探测器探测，输出电信号。
2.根据权利要求1所述的探测系统，其特征在于，所述雪崩型探测器是由单个或者多个雪崩二极管组成，所述多个雪崩二极管形成线阵或者面阵。
3.根据权利要求2所述的探测系统，其特征在于，所述雪崩二极管尺寸在1000um以下。
4.根据权利要求2所述的探测系统，其特征在于，所述雪崩二极管为线性雪崩二极管或单光子雪崩二极管。
5.如权利要求2所述的探测系统，其特征在于，所述雪崩二极管采用硅基雪崩二极管、ⅲ...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。