超薄透明电磁屏蔽膜及制备方法、装置制造方法及图纸

本申请提供一种超薄透明电磁屏蔽膜及制备方法、装置，应用光学镀膜材料、电磁屏蔽膜以及真空镀膜技术领域，其中，以银材料和铝材料作为原料，在真空镀膜机内分别将银材料和铝材料向屏蔽膜基材共蒸发沉积，以得到包含银颗粒和铝颗粒的电磁屏蔽膜；银材料和铝材料通过隔板隔开各自向屏蔽膜基材共蒸发沉积，分别控制银材料在共蒸发沉积中的第一速率和控制铝材料在共蒸发沉积中的第二速率，使电磁屏蔽膜中的银颗粒含量占比和铝颗粒含量占比满足电磁屏蔽要求和透光率要求，以根据需要可以同时兼备高透过率和强屏蔽效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光学镀膜材料、电磁屏蔽膜以及真空镀膜，具体涉及一种超薄透明电磁屏蔽膜及制备方法、装置。

技术介绍

1、透明电磁屏蔽薄膜在通讯设备、医疗设备、仪器仪表、航空航天、武器装备诸多领域，如光电制导导弹、激光制导导弹及战斗机驾驶舱等具有很大的应用需求，引起广泛的关注。然而，在目前透明屏蔽材料中，高透过率和强屏蔽效果难以同时兼备。

2、基于此，需要一种电磁屏蔽膜同时兼备高透过率和强屏蔽效果的新技术方案。

技术实现思路

1、有鉴于此，本说明书实施例提供一种超薄透明电磁屏蔽膜及制备方法、装置。

2、本说明书实施例提供以下技术方案：

3、本说明书实施例提供一种超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，包括：以银材料和铝材料作为原料，在真空镀膜机内分别将所述银材料和所述铝材料向屏蔽膜基材共蒸发沉积处理，以得到包含银颗粒和铝颗粒的电磁屏蔽膜；其中，所述银材料和所述铝材料以隔板隔开放置在所述真空镀膜机内部，使得所述银材料和所述铝材料在所述隔板隔开下各自向所述屏蔽膜基材共蒸发沉积；</p>

4、在共本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征在于，包括：以银材料和铝材料作为原料，在真空镀膜机内分别将所述银材料和所述铝材料向屏蔽膜基材共蒸发沉积处理，以得到包含银颗粒和铝颗粒的电磁屏蔽膜；其中，所述银材料和所述铝材料以隔板隔开放置在所述真空镀膜机内部，使得所述银材料和所述铝材料在所述隔板隔开下各自向所述屏蔽膜基材共蒸发沉积；

2.根据权利要求1所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征在于，通过第一监测探头监测所述银材料在共蒸发沉积中的第一速率，通过第二监测探头监测所述铝材料在共蒸发沉积中的第二速率；其中，所述第一监测探头与所述银材料设置在所述隔板的一侧，所述第二监测探头与所述...

【技术特征摘要】

1.一种超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征在于，包括：以银材料和铝材料作为原料，在真空镀膜机内分别将所述银材料和所述铝材料向屏蔽膜基材共蒸发沉积处理，以得到包含银颗粒和铝颗粒的电磁屏蔽膜；其中，所述银材料和所述铝材料以隔板隔开放置在所述真空镀膜机内部，使得所述银材料和所述铝材料在所述隔板隔开下各自向所述屏蔽膜基材共蒸发沉积；

2.根据权利要求1所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征在于，通过第一监测探头监测所述银材料在共蒸发沉积中的第一速率，通过第二监测探头监测所述铝材料在共蒸发沉积中的第二速率；其中，所述第一监测探头与所述银材料设置在所述隔板的一侧，所述第二监测探头与所述铝材料设置在所述隔板的另一侧，且所述第一监测探头与所述铝材料的蒸发源之间的连线穿过所述隔板，同样所述第二监测探头与所述银材料的蒸发源之间的连线穿过所述隔板，使得共蒸发沉积中，所述第一监测探头不采集所述铝材料对应的沉积参数，以及所述第二监测探头不采集所述银材料对应的沉积参数。

3.根据权利要求2所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征在于，所述第一监测探头监测的第一速率为0.4nm/s～0.6nm/s，和/或，所述第二监测探头监测的第二速率为0.02nm/s～0.05nm/s。

4.根据权利要求1所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征在于，该电磁屏蔽膜制备方法还包括：通过第三监测探头监测所述电磁屏蔽膜的沉积速率和/或沉积厚度。

5.根据权利要求4所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征在于，所述第三监测探头监控的沉积速率为0.42nm/s～0.44nm/s；和/或，所述第三监测探头监测的沉积厚度为7nm～10nm，其中当监控到的沉积厚度超出10nm时，停止共蒸发处理。

6.根据权利要求1所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征在于，所述银材料在共蒸发沉积中蒸发形成所述银颗粒，所述铝材料在共蒸发沉积中蒸发形成所述铝颗粒；

7.根据权利要求6所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征在于，所述修正挡板分为位于隔板所在板面两侧的导流板，两侧所述导流板朝隔板所在板面的方向上可斜向上分布，且两侧所述导流板之间形成间隙，形成的所述间隙位于所述隔板的上方，以使接触所述导流板的所述银颗粒和所述铝颗粒向形成的所述间隙流动。

8.根据权利要求1所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征在于，该电磁屏蔽膜制备方法还包括：在共蒸发沉积后，对所述电磁屏蔽膜进行真空退火工艺处理。

9.根据权利要求8所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征在于，所述真空退火工艺为：真空度为2.0×10-4pa以上，升温速率控制在20℃/min以内，最高温度为180℃-220℃，保持时间为3-8min，然后自然冷却降温至室温。

10.根据权利要求1所述的超薄透明电磁屏蔽膜制备方法，其特征在于，所述屏蔽膜基材采用以下任意一种：k9、jgs1、jgs2、jgs3及蓝宝石；

【专利技术属性】
技术研发人员：潘永刚，董所涛，王奔，林兆文，付秀华，王会会，
申请(专利权)人：长春理工大学中山研究院，
类型：发明
国别省市：

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