一种高纯碲化铟及其制备方法技术

本发明专利技术属于新材料技术领域，公开了一种高纯碲化铟的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将碲和铟按摩尔比1.05～1.1：1的比例混合，并升温至第一温度，保温；步骤2：将步骤1的产物升温至第二温度，保温；步骤3：将步骤2的产物升温至第三温度，保温；步骤4：降温，得到高纯碲化铟；所述第一温度高于铟的熔点且低于碲的熔点；所述第二温度高于碲的熔点且低于碲化铟的熔点；所述第三温度高于碲化铟的熔点。该方法可以使碲的损耗最低化，同时提高碲化铟的纯度。同时，本发明专利技术还提供了基于该方法制备得到的高纯碲化铟。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新材料领域，尤其涉及一种高纯碲化铟及其制备方法。

技术介绍

1、碲化铟，化学式为inte，属于iii-v族化合物材料，具有立方晶格结构，由于其特殊的物理和化学性质，在电子、光电子、红外探测器、太阳能电池等领域有广泛的应用。它的晶体结构紧密，不易发生化学反应。因此，碲化铟具有较好的化学稳定性和耐腐蚀性。它的硬度也较大，可以用于制造耐磨、耐高温的器件。

2、碲化铟的制备方法一般是将碲、铟混合物升温到碲的熔点温度以上进行反应，以使反应原料以液-液接触进行反应。如cn111115590a一种二维碲化铟纳米片及其制得的偏振光探测器，其就是采用的这种方法进行制备的，其铟粉和碲粉的摩尔比为1：(2～3)。其之所以用量如此之大的原因在于，碲粉的蒸气压比较高，在惰性气体保护的条件下容易被带走，所以用过量的碲粉来平衡被保护气带走的物料。

3、本案解决的技术问题是，如何降低碲化铟制备过程中的损耗，如何提高碲化铟的纯度。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种高纯碲化铟的制备方法，该方法可本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高纯碲化铟的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，碲以碲粉的形式存在；铟以铟块的形式存在。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，铟置于碲的下方。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度为200～300℃；所述第二温度为500～600℃；所述第三温度为750～850℃。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1的保温时间为120～180min；所述步骤2的保温时间为60～120min；所述步骤3的保温时间为120～1...

【技术特征摘要】

1.一种高纯碲化铟的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，碲以碲粉的形式存在；铟以铟块的形式存在。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，铟置于碲的下方。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度为200～300℃；所述第二温度为500～600℃；所述第三温度为750～850℃。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1的保温时间为120～180min；所述步骤2的保温时间为60～120min；所述步骤3的保温时间为120～180min...

【专利技术属性】
技术研发人员：文崇斌，朱刘，童培云，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：