【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于精密半导体激光器领域,具体涉及一种外腔激光器二级控温的结构和方法。
技术介绍
1、半导体精密激光器是量子物理、精密测量领域的上游技术,为量子计算、量子通信、量子传感、冷原子物理等新兴领域的发展起到了支撑作用。常用半导体精密激光器的激光管主要包括:dfb激光管(distributed feedback laser,分布式反馈激光管),ecdl激光管(external-cavity diode laser,可调谐外腔半导体激光管)等。其中dfb激光管的稳定性较好,频率连续调谐范围大,没有跳模点,但是线宽通常只能达到几百khz至mhz量级;ecdl激光管输出的激光单色性较好,线宽较窄可以达到100khz及以下,但易受到环境干扰,出现跳模,难以在一般环境下长期连续稳定工作。
2、通常情况下,在激光稳定性优先的应用中主要使用dfb激光管,在性能优先的应用中主要使用ecdl激光管。但随着各类量子技术的进步和发展:
3、1)在部分量子传感仪器当中,dfb激光管的频率噪声已经成为了限制仪器指标进一步提升的主要因素;
4、2本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体激光器的二级控温结构,其特征在于,包括组装结构和激光器二级控温电路,其中,
2.根据权利要求1所述的二级控温结构,其特征在于,所述制冷硅片通过导热硅脂安装在所述制冷硅片安装槽内。
3.根据权利要求2所述的二级控温结构,其特征在于,所述基座为不锈钢基座。
4.根据权利要求1或2或3所述的二级控温结构,其特征在于,所述隔离罩为硬塑料隔离罩。
5.根据权利要求1或2或3所述的二级控温结构,其特征在于,所述隔离罩包括两端开口的罩桶和罩盖,所述罩桶的顶端开口与所述罩盖连接。
6.一种基于权利要求1所述二级
...【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器的二级控温结构,其特征在于,包括组装结构和激光器二级控温电路,其中,
2.根据权利要求1所述的二级控温结构,其特征在于,所述制冷硅片通过导热硅脂安装在所述制冷硅片安装槽内。
3.根据权利要求2所述的二级控温结构,其特征在于,所述基座为不锈钢基座。
4.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:贺轩,杨仕锋,齐向晖,王青,陈徐宗,
申请(专利权)人:昆山拉姆齐光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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