【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及sic mosfet建模，特别是涉及一种sic mosfet模型的构建方法及装置。
技术介绍
1、sic mosfet因其高耐压、高耐温、高开关频率、低导通电阻、小漏电流等优异特性成为目前最受欢迎的宽禁带功率器件。建立sic mosfet的仿真特性模型可以为电力电子变换器的开关频率选择、缓冲电路和驱动电路的功能设计提供分析与预测数据。在sicmosfet的各项参数中，其中结电容(栅源电容cgs、栅漏电容cgd、漏源电容cds)对其开关波形影响很大，因此建立可靠的结电容仿真模型对于sic mosfet的开关性能分析以及电路设计起到了至关重要的作用。
2、在三个结电容中，栅源电容cgs的值较大，其主要受两端电压极性影响，当漏极电压从0增加到几百伏时，cgs表现不明显，现有研究通常直接将cgs视为定值，这种处理方式虽然简便但是也降低了模型的精准度。栅漏电容cgd是对sic mosfet动态特性影响最大的结电容，其随着栅漏电压vgd的改变发生迅速变化，所以cgd对sic mosfet动态建模精确度非常关键。现有的栅漏电...
【技术保护点】
1.一种SiC MOSFET模型的构建方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的SiC MOSFET模型的构建方法，其特征在于，所述建立电容数据采集模型，具体为：
3.根据权利要求2所述的SiC MOSFET模型的构建方法，其特征在于，所述基于所述工艺模型构建第一电路模型和第二电路模型，具体为：
4.根据权利要求3所述的SiC MOSFET模型的构建方法，其特征在于，所述将若干个预设的栅源电压和漏源电压的组合参数输入所述电容数据采集模型中，得到若干组电容数据，具体为：
5.根据权利要求4所述的SiC MOSFET...
【技术特征摘要】
1.一种sic mosfet模型的构建方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的sic mosfet模型的构建方法，其特征在于，所述建立电容数据采集模型，具体为：
3.根据权利要求2所述的sic mosfet模型的构建方法，其特征在于，所述基于所述工艺模型构建第一电路模型和第二电路模型，具体为：
4.根据权利要求3所述的sic mosfet模型的构建方法，其特征在于，所述将若干个预设的栅源电压和漏源电压的组合参数输入所述电容数据采集模型中，得到若干组电容数据，具体为：
5.根据权利要求4所述的sic mosfet模型的构建方法，其特征在于，所述将若干个预设的栅源电压和漏源电压的组合参数输入第一电路模型，得出栅源电容数据和栅漏电容数据，具体为：
6.根据权利要求4所述的sic mosfet模型的构建方法，其特征在于，所述将若干个预设的栅源电压和漏...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈钰凯，谢宁，赵伟，王正磊，
申请(专利权)人：中国南方电网有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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