一种具有强磁交换偏置效应的氧化物转角异质结的制备及性能调控方法技术

本发明专利技术属于柔性自旋电子器件技术领域，具体涉及一种具有强磁交换偏置效应的氧化物转角异质结的制备及性能调控方法。通过将具有磁有序结构的自支撑单晶铁磁氧化物薄膜和反铁磁氧化物薄膜相互堆叠形成具有强界面磁耦合的转角磁异质结，并且通过增加覆盖层和堆叠角度调控转角磁异质结的磁性能。本发明专利技术通过将不同磁有序结构的自支撑反铁磁和铁磁层形成转角磁异质结，并通过控制耦合角度和距离，实现对转角磁异质结的交换偏置的调控。这不仅有利于研究转角磁电子学的物理机制，也为多功能的自旋电子学材料提供了材料基础和新颖有效调控手段。摘要附图为图10。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于自旋电子学材料，具体涉及一种具有强磁交换偏置效应的氧化物转角异质结的制备及性能调控方法。

技术介绍

1、交换偏置效应在自旋阀、磁隧道结等自旋电子学器件中得到了广泛应用；在磁数据存储、传感器等领域的应用潜力也逐渐显现。这些器件利用交换偏置效应来固定铁磁层的磁矩方向，从而提高器件的稳定性和灵敏度。尽管已经发现了一些具有优异交换偏置效应的材料，但如何进一步提升这些材料的性能仍然是一个挑战。例如，提高交换偏置场的强度、降低矫顽力、提高截止温度，另外，交换偏置的调控性也是一个难以解决的问题。

技术实现思路

1、针对目前交换偏置场的强度普遍较小及交换偏置难以操控的问题，本专利技术提供一种具有强交换偏置效应的堆叠铁磁性和反铁磁性氧化物薄膜异质结构。该结构具有强的交换偏置场，同时，可以通过控制各层(磁性层、反铁磁层、牺牲层、覆盖层)的生长条件，以及堆叠过程中的旋转角度等，非常容易的调控交换偏置的产生、消失、增长、减小。该专利技术为磁数据存储、传感器等领域的进一步挖掘和发挥提供了众多的可能。</p>

2、为实本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有强磁交换偏置效应的氧化物转角异质结，其特征在于，所述具有磁交换偏置的氧化物异质结是由不同的氧化物单晶薄膜通过范德瓦尔斯力连接堆叠而成；上面可以沉积一层覆盖膜来改变层间距；所述异质结的交换偏置强度调控可以通过不同磁性氧化物薄膜在堆叠时所取不同厚度和角度实现，也可以通过改变覆盖层厚度实现。

2.一种如权利要求1所述的具有强磁交换偏置效应的转角氧化物异质结的制备及性能调控方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于步骤(1)中所述的衬底为SrTiO3(STO)，牺牲层为Sr3Al2O6，铁磁性氧化物为La0.67Sr0.33...

【技术特征摘要】

1.一种具有强磁交换偏置效应的氧化物转角异质结，其特征在于，所述具有磁交换偏置的氧化物异质结是由不同的氧化物单晶薄膜通过范德瓦尔斯力连接堆叠而成；上面可以沉积一层覆盖膜来改变层间距；所述异质结的交换偏置强度调控可以通过不同磁性氧化物薄膜在堆叠时所取不同厚度和角度实现，也可以通过改变覆盖层厚度实现。

2.一种如权利要求1所述的具有强磁交换偏置效应的转角氧化物异质结的制备及性能调控方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于步骤(1)中所述的衬底为srtio3(sto)，牺牲层为sr3al2o6，铁磁性氧化物为la0.67sr0.33mno3(lsm...

【专利技术属性】
技术研发人员：何斌，吕伟明，郭金瑞，颜世申，任妙娟，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：