一种P（VDF-TrFE-CFE）铁电聚合物薄膜的制备方法技术

本发明专利技术涉及铁电聚合物的技术领域，公开了一种P(VDF‑TrFE‑CFE)铁电聚合物薄膜的制备方法，包括如下步骤:步骤一：将P(VDF‑TrFE‑CFE)三聚物粉末加入在DMF和DMSO的混合溶液中，搅拌使其充分溶解；步骤二：所得聚合物溶液旋涂成膜，并干燥；步骤三：所得薄膜进行真空退火。本发明专利技术采用P(VDF‑TrFE‑CFE)取代电子辐照，可以避免除聚合物辐照引起的不良副作用，通过将P(VDF‑TrFE‑CFE)三元共聚物溶于N,N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合溶剂中，再旋涂制膜，薄膜具有更好均匀性和平整性的同时，在电场中也能得到更好的应变效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于铁电聚合物的，更具体涉及一种p(vdf-trfe-cfe)铁电聚合物薄膜的制备方法。

技术介绍

1、铁电体是技术上重要的智能材料，可用于电容器、传感器、传感器、非易失性存储器和电光调制器。30多年来，铁电聚合物，特别是偏氟乙烯均聚物pvdf及其与三氟乙烯的无规共聚物p(vdf-trfe)s引起了相当大的关注。

2、其中，p(vdf-trfe)是一种铁电聚合物，其铁电相具有全反式构象。通过将聚合物加热到高于铁电，对电(f，p)转变温度，铁电相转变为对电(非极性)相，对电相是具有反式和扭式键的混合物。这两相之间的分子构象之间的变化导致会导致发生超过7％应变。然而，在p(vdf-trfe)共聚物中，这种转变过程发生在接近100℃的温度下，并且涉及到非常大的滞后。针对此，解决方法之一是通过高能辐照引入缺陷，将长程极性区打破为微畴，从而在室温下稳定了非极性相，显著降低甚至消除了极性相与非极性相之间的转变屏障。因此，在室温下，外电场可以诱导从非极性相到极性相的连续转变，并且具有很小的滞后。这一过程因为与构象变化，因此直接导致了较大的电伸缩。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种P(VDF-TrFE-CFE)铁电聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:

2.如权利要求1所述P(VDF-TrFE-CFE)铁电聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合溶液中DMF和DMSO的体积比为1:1。

3.如权利要求1所述P(VDF-TrFE-CFE)铁电聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述P(VDF-TrFE-CFE)三聚物粉末与混合溶液的使用量之比为0.2-0.4g：5mL。

4.如权利要求1所述P(VDF-TrFE-CFE)铁电聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述P(VDF-TrFE-CFE)三聚物粉末的粒径为1-...

【技术特征摘要】

1.一种p(vdf-trfe-cfe)铁电聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:

2.如权利要求1所述p(vdf-trfe-cfe)铁电聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述混合溶液中dmf和dmso的体积比为1:1。

3.如权利要求1所述p(vdf-trfe-cfe)铁电聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述p(vdf-trfe-cfe)三聚物粉末与混合溶液的使用量之比为0.2-0.4g：5ml。

4.如权利要求1所述p(vdf-trfe-cfe)铁电聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述p(vdf-trfe-cfe)三聚物粉末的粒径为1-5μm。

5.如权利要求1-4之一所述p(vdf-trfe-cfe)铁电聚合物薄膜的制备方法，其特征在于，搅拌时间不短于12h。

6.如权利要求1所述p(vdf-trfe-cfe...

【专利技术属性】
技术研发人员：石子杰，万军民，吴谌情，谢凯，
申请(专利权)人：浙江理工大学，
类型：发明
国别省市：