【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及激励元件和双稳态磁线的组合，其中制造该组合以利用双稳态磁线进行各种物理量和/或位置测量。该系统和方法的新颖性主要在于激励元件和实际双稳态磁线的磁场的特定不对称位置，由此显著提高了原始测量数据的解释价值。
技术介绍
1、双稳态磁性元件用于测量各种物理量和位置，其中双稳态磁性元件由无源件形成，该无源件通过磁化对磁场中位置的变化或物理量的变化做出反应。
2、例如，在文献gb2374084a中描述了具有双稳态磁性质的合金和由该合金制成的微线。这种微线能够对各种物理量做出响应，但是响应评估是有问题的，因为现有技术的双稳态磁性元件可能具有复杂的磁行为，其中磁化发生在单条微线内的多个磁畴中，而不是单次壁跳跃中。双稳态磁线在位置测量、角度测量和旋转测量中的应用也是已知的。
3、在文献us4484090a中阐明了缠绕在芯上的双稳态磁线的激励。该解决方案无法评估物理量。在文献jph03252577a中描述了双稳态磁性元件的一些磁行为，然而，该文献没有解决与解释测量的非线性值有关的问题。
4、de281716...
【技术保护点】
1.一种利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位置测量的系统，所述系统包括用于产生磁场的激励元件(2)，所述双稳态磁线(1)放置在所述磁场的范围内，所述激励元件具有第一端(11)和相对放置的第二端(12)，其中通过从所述第一端(11)到所述第二端(12)或从所述第二端(12)到所述第一端(11)的单次巴克豪森跳跃对所述双稳态磁线(1)进行磁化调整，并且所述系统还包括用于从所述双稳态磁线(1)接收响应的感测元件(3)，
2.根据权利要求1所述的利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位置测量的系统，其特征在于，所述第一端(11)处和所述第二端(12)处的磁场的大小的差...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位置测量的系统，所述系统包括用于产生磁场的激励元件(2)，所述双稳态磁线(1)放置在所述磁场的范围内，所述激励元件具有第一端(11)和相对放置的第二端(12)，其中通过从所述第一端(11)到所述第二端(12)或从所述第二端(12)到所述第一端(11)的单次巴克豪森跳跃对所述双稳态磁线(1)进行磁化调整，并且所述系统还包括用于从所述双稳态磁线(1)接收响应的感测元件(3)，
2.根据权利要求1所述的利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位置测量的系统，其特征在于，所述第一端(11)处和所述第二端(12)处的磁场的大小的差值为至少5％、优选地至少10％。
3.根据权利要求1或2所述的利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位置测量的系统，其特征在于，所述系统适于测量温度和/或压力和/或张力和/或磁场和/或线性位置。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位置测量的系统，其特征在于，接收元件(3)的线圈与激励元件(2)的线圈分离。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位置测量的系统，其特征在于，所述双稳态磁线(1)的直径小于50gm、优选地小于25pm、特别优选地小于15pm。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位置测量的系统，其特征在于，所述双稳态磁线(1)覆盖有一层绝缘材料，优选地覆盖有一层玻璃。
7.根据权利要求6所述的利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位置测量的系统，其特征在于，所述玻璃的厚度高达20pm。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位置测量的系统，其特征在于，所述双稳态磁线(1)的长度是所述双稳态磁线(1)的金属芯的直径的至少1000倍、优选地至少10,000倍。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位置测量的系统，其特征在于，所述激励元件(2)相对于所述双稳态磁线(1)的位置不对称放置。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位置测量的系统，其特征在于，所述激励元件(2)具有不对称结构，其端部处的磁场具有不同振幅。
11.根据权利要求10所述的利用双稳态磁线进行物理量测量和/或位...
【专利技术属性】
技术研发人员：拉斯蒂斯拉夫·瓦尔加，
申请(专利权)人：RV磁性材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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