用于确定感兴趣参数在至少一个衬底或其部分之上的空间分布的方法技术

公开了一种用于确定感兴趣参数在至少一个衬底或其部分之上的空间分布的方法，至少一个衬底已经经受半导体制造工艺，该方法包括：获得描述所述空间分布的预期指纹分量的统计描述以及描述与所述感兴趣参数相关联的预期测量噪声水平的噪声分量；获得与所述感兴趣参数相关的量测数据；以及使用所述统计描述作为先验并且使用所述量测数据作为观察值，经由贝叶斯推理推断所述感兴趣参数在至少一个衬底或其部分之上的空间分布。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及用于在光刻工艺中将图案施加到衬底的方法和装置。

技术介绍

1、光刻装置是将期望的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以被用于例如集成电路(ic)的制造中。在该实例中，图案形成设备(备选地被称为掩模或掩模版)可以被用于生成要被形成在ic的单独的层上的电路图案。该图案可以被转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分裸片、一个裸片或若干裸片)上。图案的转印通常经由成像到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻装置包括所谓的步进器(其中每个目标部分通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照)以及所谓的扫描仪(其中每个目标部分通过在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案来辐照，同时同步扫描平行或反平行于该方向的衬底。也可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案形成设备转印到衬底。

2、为了监测光刻工艺，图案化衬底的参数被测量。参数可以包括例如在图案化衬底中或上形成的连续层之间的套刻误差和显影光敏抗蚀剂的临界线宽(cd)。该测量可以对本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于确定感兴趣参数在至少一个衬底或其部分之上的空间分布的方法，所述至少一个衬底已经经受半导体制造工艺，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述感兴趣参数是与所述半导体制造工艺相关联的参数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述预期指纹分量包括所述感兴趣参数的所述空间分布的多个形状分量。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述推断步骤包括：同时将所述多个形状分量中的每个形状分量拟合到所述量测数据。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述量测数据包括多个量测数据集，每个量测数据集与多个衬底中的相应的衬底相关，并且所述推断...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于确定感兴趣参数在至少一个衬底或其部分之上的空间分布的方法，所述至少一个衬底已经经受半导体制造工艺，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述感兴趣参数是与所述半导体制造工艺相关联的参数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述预期指纹分量包括所述感兴趣参数的所述空间分布的多个形状分量。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述推断步骤包括：同时将所述多个形状分量中的每个形状分量拟合到所述量测数据。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述量测数据包括多个量测数据集，每个量测数据集与多个衬底中的相应的衬底相关，并且所述推断步骤包括：同时将所述预期指纹分量拟合到每个量测数据集。

6.根据权利要求3所述的方法，其中根据所述统计描述，所述多个形状分量中的一些或每个形状分量被预期是平滑的。

7.根据权利要求3所述的方法，其中所述多个形状分量中的一些或每个形状分量被预期为具有低弯曲能、散度或旋度。

8.根据权利要求3所述的方法，其中所述推断步骤包括将所述多个形状分量中...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·科特塔尔，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：