【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种研磨垫、研磨垫的制造方法及晶圆研磨方法。
技术介绍
1、具备平台与载体的晶圆研磨装置是已知的。平台具有沿与轴心正交的方向延伸的固定面，且绕轴心旋转。载体相对于平台能够相对旋转地保持平板状的晶圆。
2、通过该晶圆研磨装置研磨si、sic、gan等平板状的晶圆的情况下，在平台的固定面固定研磨垫。并且，在研磨液的存在下、将研磨垫与晶圆在规定的表面压力下进行抵接的同时，使平台与载体相对旋转。在研磨液包含碱等药剂的情况下，在cmp(chemicalmechanical polishing：化学机械研磨)步骤中研磨晶圆。
3、在研磨垫为一般的无纺布或硬质氨基甲酸酯等不具有研磨粒子的情况下，研磨液包含研磨粒子。该情况下，需要对研磨液进行管理，且需要对研磨后的晶圆进行清洗。另外，由于研磨液价格昂贵，所以还需要回收研磨后的研磨液，再调节为特定状态后进行再利用。进而，废弃研磨后的研磨液或清洗液的情况下，必须进行复杂的处理，以使它们不破坏环境。因此，在该情况下，产生半导体装置的制造成本的高涨化，且环境负担大。
...【技术保护点】
1.一种研磨垫，其用于晶圆研磨装置，所述装置包含：
2.根据权利要求1的研磨垫，其中，所述气孔相关面积的最大值为209.3μm2以上，最小值为29.3μm2以上。
3.根据权利要求1或2的研磨垫，其中，所述母材树脂为聚醚砜。
4.一种研磨垫的制造方法，其特征在于，包括：
5.一种晶圆研磨方法，其特征在于，在研磨液的存在下，在规定的表面压力下，将平板状的晶圆与平板状的研磨垫抵接，并且，围绕沿所述晶圆的厚度方向延伸的轴心，使所述晶圆与所述研磨垫相对旋转，从而对所述晶圆进行研磨，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种研磨垫，其用于晶圆研磨装置，所述装置包含：
2.根据权利要求1的研磨垫，其中，所述气孔相关面积的最大值为209.3μm2以上，最小值为29.3μm2以上。
3.根据权利要求1或2的研磨垫，其中，所述母材树脂为聚醚砜。
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