一种铟镓锡氧化物溅射靶材及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种低电阻率铟镓锡氧化物(IGTO)溅射靶材的制备方法，属于光电器件材料技术领域。本发明专利技术是将氧化铟粉末、氧化镓粉末和氧化锡粉末按一定的铟镓锡原子比(70:15:15，70:10:20，70:20:10)加入到球磨罐中，并加入去离子水、分散剂和粘结剂，采用高能球磨技术制得高固含量低粘度的IGTO浆料；采用压力注浆成形技术或者造粒‑模压‑冷等静压成型技术制得高密度微观组织均匀的IGTO靶材素坯；采用无压脱脂烧结一体化技术制得高密度低电阻率晶粒细小的IGTO靶材烧结体。实施例得实验结果表明，本发明专利技术提供的制备方法制备的铟镓锡氧化物溅射靶材的相对密度为98.2～99.8％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电器件材料，尤其涉及一种铟镓锡氧化物溅射靶材及其制备方法。

技术介绍

1、透明导电氧化物薄膜(tco)是一类特殊功能的材料，具有良好的光学性能和导电性，被广泛运用到电子屏幕、触摸屏面板、发光二极管(led)和太阳能电池等领域。这类材料易于生产，可使用化学气相沉积，磁控溅射和喷雾热解等技术制备。目前最常用的tco是掺杂锡的氧化铟(铟锡氧化物或ito)以及铟镓锌氧化物(igzo)体系。

2、与锡掺杂氧化铟(ito)和铝掺杂氧化锌(azo)材料体系相比较，铟镓锡氧化物材料体系制备的铟镓锡氧化物(igto)薄膜拥有更高的载流子迁移率，因此，可以在不增加载流子浓度(维持高透光率)的情况下进一步提高其优异光电性能。

3、铟镓锡氧化物(igto)薄膜还可以用作薄膜晶体管(tft)器件中的沟道层材料，与铟镓锌氧化物(igzo)薄膜相比，铟镓锡氧化物(igto)薄膜中in3+和sn4+离子具有相同的电子结构，使得sn可以通过相邻大5s轨道的广泛重叠来增强氧化物膜中的渗流传导路径，从而能够在较低的退火温度下获得更高的场效应迁移率。...

【技术保护点】

1.一种低电阻率铟镓锡氧化物溅射靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种低电阻率铟镓锡氧化物溅射靶材的制备方法，其特征在于，S1中所得的铟镓锡氧化物浆料中铟的原子数目为铟、镓、锡总原子数的70％；

3.根据权利要求1所述的一种低电阻率铟镓锡氧化物溅射靶材的制备方法，其特征在于，S1中所述分散剂的质量为氧化铟、氧化镓和氧化锡总质量的0.5～1.8％。

4.根据权利要求1所述的一种低电阻率铟镓锡氧化物溅射靶材的制备方法，其特征在于，S1中所述粘结剂的质量为氧化铟、氧化镓和氧化锡总质量的0.3～2.5％。</p>

5.根据...

【技术特征摘要】

1.一种低电阻率铟镓锡氧化物溅射靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种低电阻率铟镓锡氧化物溅射靶材的制备方法，其特征在于，s1中所得的铟镓锡氧化物浆料中铟的原子数目为铟、镓、锡总原子数的70％；

3.根据权利要求1所述的一种低电阻率铟镓锡氧化物溅射靶材的制备方法，其特征在于，s1中所述分散剂的质量为氧化铟、氧化镓和氧化锡总质量的0.5～1.8％。

4.根据权利要求1所述的一种低电阻率铟镓锡氧化物溅射靶材的制备方法，其特征在于，s1中所述粘结剂的质量为氧化铟、氧化镓和氧化锡总质量的0.3～2.5％。

5.根据权利要求1所述的一种低电阻率铟镓锡氧化物溅射靶材的制备方法，其特征在于，s1中所得的铟镓锡氧化物浆料的固...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洋，孙本双，赵永歌，舒永春，刘苗，王之君，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：