用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法和金属氧化物半导体场效应晶体管技术

公开了用于制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法和金属氧化物半导体场效应晶体管。一种用于制造MOSFET半导体器件的方法，包括提供晶片，晶片包括：半导体本体，该半导体本体包括第一侧、与第一侧相邻的第一半导体区、与第一侧相邻并且与第一半导体区形成第一pn结的第二半导体区、以及与第一侧相邻并且与第二半导体区形成第二pn结的第三半导体区；布置在第一侧上的第一电介质层；嵌入在第一电介质层中的栅极电极；和布置在第一电介质层上的第二电介质层。在栅极电极旁边形成通过第一电介质层和第二电介质层的沟槽。在沟槽的侧壁处形成电介质间隔壁。沟槽延伸到半导体本体中以形成接触沟槽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的实施例涉及半导体mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)，特别是涉及竖向功率mosfet及其制造方法。

技术介绍

1、半导体晶体管，特别是诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)或绝缘栅双极晶体管(igbt)的场效应受控开关器件已经被用于各种应用，包括但是不限制于用作为电源和功率转换器、电动汽车、空调以及甚至立体声系统中的开关。特别地，关于能够对大电流进行开关和/或在更高电压下操作的功率器件，通常想要有低的导通状态电阻ron和高的击穿电压ubd。

2、为了实现低的导通状态电阻ron和高的击穿电压ubd，开发了电荷补偿半导体器件。补偿原理是基于在竖向mosfet的漂移区域中的n掺杂区和p掺杂区(其通常还被称为n掺杂柱形区和p掺杂柱形区)中的电荷的相互补偿。

3、并非只是出于成本的原因而存在降低在半导体器件上的(多个)尺寸的持续进展。然而，在分别收缩mosfet单元cell的例如横向宽度和间距的值的情况下，针对可靠地生产器件的要求趋于增长。例如，在mosfet的源极金属化与mosfet单元的源极区和本体区之间形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOSFET(100)，包括：

2.根据权利要求1所述的MOSFET，其中，第二值(w2)至多为1μm，其中第一侧(101)和上侧(103)之间的竖向距离(h)随着从接触沟槽(50)的侧壁(51)起和/或从通入接触部分(10")起的水平距离(x-x0)增加而减小，其中从第一侧(101)起的侧壁(51)的上端的竖向距离大于在第一侧(101)和上侧(103)之间的最小竖向距离，典型地大至少10nm，其中从第一侧(101)起的侧壁(51)的上端的竖向距离至多比第一侧(101)和上侧(103)之间的最小竖向距离大100nm，和/或其中竖向距离(h)在水平距离(x-x0)的值(...

【技术特征摘要】

1.一种mosfet(100)，包括：

2.根据权利要求1所述的mosfet，其中，第二值(w2)至多为1μm，其中第一侧(101)和上侧(103)之间的竖向距离(h)随着从接触沟槽(50)的侧壁(51)起和/或从通入接触部分(10")起的水平距离(x-x0)增加而减小，其中从第一侧(101)起的侧壁(51)的上端的竖向距离大于在第一侧(101)和上侧(103)之间的最小竖向距离，典型地大至少10nm，其中从第一侧(101)起的侧壁(51)的上端的竖向距离至多比第一侧(101)和上侧(103)之间的最小竖向距离大100nm，和/或其中竖向距离(h)在水平距离(x-x0)的值(x1-x0)处具有最低值，水平距离(x-x0)的值(x1-x0)小于源极区(3)的在到第一侧(101)上的投影中的最大距离(x3-x0)，其中竖向距离(h)仅针对小于70nm的水平距离(x-x0)的值而减小。

3.根据权利要求2所述的mosfet，其中第二值(w2)至多为950nm，并且其中竖向距离(h)仅针对小于20nm的水平距离(x-x0)的值而减小。

4.根据权利要求1或2或3所述的mosfet，其中所述mosfet在竖向横截面中包括多个mosfet...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·延切尔，M·皮潘，A·里格勒，M·施特格曼，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：