一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算方法技术

技术编号:43384227 阅读:24 留言:0更新日期:2024-11-19 18:00
本发明专利技术公开了一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算方法,涉及刮削层靶板区的快速计算领域,该方法包括:获取刮削层以往在磁约束核聚变装置中边界物理参量的实验数据作为第一数据,并得到第一数据对应的第二数据;将第二数据输入至预置的神经网络模型中进行处理,得到第二数据对应的第三数据;将通过校验的第三数据确定为第四数据;判断最后两次迭代中得到的两个第四数据是否满足预设迭代条件,若不满足则调整神经网络模型的模型参数,直到满足预设迭代条件;将满足预设迭代条件的神经网络模型确定为计算模型,并利用计算模型执行磁约束核聚变装置中刮削层靶板区的实验数据的参数预测;达到快速地实现刮削层靶板区等离子体的压强、温度、密度、杂质、中性粒子、湍流、热通量等物理量的自动快速传输和集成的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及刮削层靶板区的快速计算领域,更具体地说,它涉及一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算方法


技术介绍

1、磁约束聚变边界物理在磁约束聚变技术中具有重要的作用,关乎等离子体的稳定性、杂质控制、热量排放等关键问题,对于实现可控核聚变反应具有重要意义。在磁约束聚变研究中,高能量等离子体伴随着一些磁流体不稳定性(mhd)的爆发导致高能量粒子不断轰击偏滤器靶板,从而导致偏滤器靶板上能量热负荷增加造成靶板材料的损伤。托卡马克装置最外闭合磁面和第一壁之间存在刮削层区(sol),能够显著地减少来自等离子体与第一壁材料作用产生的杂质对等离子体芯部的污染,同时能够通过刮削层区的磁场对排出能量的轰击位置进行更好地控制,当离子到达偏滤器靶板表面时,它们与表面电子重新结合并中和,根据进入的离子的速度,有两个主要的中和过程:快离子被反射成中性原子,慢离子被吸收后以中性分子的形式重新释放,这些原子分子在边界刮削层中被电离,循环重复;在稳定状态下,等离子体通过这种再循环过程自给燃料,它主要发生在偏滤器区域;此外,偏滤器区域内的再循环会在靶板前方形成中性原子和分子的稠密本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算方法,其特征在于,包括以下具体步骤:

2.根据权利要求1所述的一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算方法,其特征在于,所述预处理包括数据分类、标签的归一化处理和统一单位制处理。

3.根据权利要求2所述的一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算方法,其特征在于,所述预处理还包括:

4.根据权利要求1所述的一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算方法,其特征在于,所述预设迭代条件为损失函数小于预置数量级,所述损失函数具体为:

5.根据权利要求4所述的一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区...

【技术特征摘要】

1.一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算方法,其特征在于,包括以下具体步骤:

2.根据权利要求1所述的一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算方法,其特征在于,所述预处理包括数据分类、标签的归一化处理和统一单位制处理。

3.根据权利要求2所述的一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算方法,其特征在于,所述预处理还包括:

4.根据权利要求1所述的一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算方法,其特征在于,所述预设迭代条件为损失函数小于预置数量级,所述损失函数具体为:

5.根据权利要求4所述的一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算方法,其特征在于,所述预置数量级为10-2数量级。

6.一种适用于磁约束核聚变刮削层靶板区的快速计算系统,应用于权...

【专利技术属性】
技术研发人员:王占辉舒宇坤徐欣亮聂林龙婷周雨林王俊吴雪科付彩龙
申请(专利权)人:核工业西南物理研究院
类型:发明
国别省市:

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